[發明專利]頂發射AMOLED像素電路及其驅動方法

有效

• 申請號: 201710736699.1
• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN107393477B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 韓佰祥
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;劉巍

本發明涉及一種頂發射AMOLED像素電路及其驅動方法。該頂發射AMOLED像素電路包括：第一薄膜晶體管(T1)，連接第一節點(G)，第二節點(S)和第三節點(D)；第二薄膜晶體管(T2)，連接掃描信號(Scan)，第一節點(G)和數據信號(Data1)；第三薄膜晶體管(T3)，連接掃描信號(Scan)，第二節點(S)和參考電壓(Ref)；第四薄膜晶體管(T4)，連接掃描信號(Scan)，第三節點(D)和電源高電壓(Data2)；第一電容(Cst)連接第一節點(G)和第二節點(S)；第二電容(C)連接第三節點(D)和參考電壓(Ref)；OLED連接第二節點(S)和電源低電壓(VSS)；該電源高電壓(Data2)與電源低電壓(VSS)之間的差值保持不變。本發明還提供了相應的驅動方法。本發明可以有效緩解透明陰極阻抗增大引起的IR壓降。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種頂發射AMOLED像素電路及其驅動方法。

背景技術

作為新一代顯示技術，有機發光二極管(OLED)顯示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、寬視角、高響應速度等優點，因此備受市場的青睞。

OLED顯示裝置按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive MatrixOLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。OLED按照光出射方向的不同，可以分為兩種結構：一種是底發射型，另一種是頂發射型。頂發射型OLED所發出的光是從器件的頂部出射，能有效的提高開口率。

大尺寸高解析度AMOLED面板的開發是未來的發展方向，隨著解析度的增加，會極大的壓縮底發射AMOLED的開口區，故急需開發頂發射架構，而目前大尺寸頂發射AMOLED面板的透明陰極阻抗非常大，引起嚴重的IR壓降(Drop)問題。

參見圖1，其為傳統AMOLED的3T1C像素電路示意圖，主要包括3個薄膜晶體管T1～T3，一個電容Cst，該像素電路驅動過程主要由信號Scan的時序控制，薄膜晶體管T1為驅動TFT，用于驅動OLED，控制通過OLED的電流。

該傳統AMOLED的3T1C像素電路工作過程如下：當Scan給高電位時，T2，T3打開，節點G寫入數據信號Data，節點S寫入參考電壓Ref(＜OLED開啟電壓)，Vgs＝Data－Ref，此時OLED不發光；當Scan給低電位時，T2，T3關閉，節點S被電源高電壓VDD充電至V_Anode，節點G被耦合(Couple)至Data+V_Anode－Ref，此時Vgs＝Data－Ref，OLED開始發光。T1作為驅動TFT，需工作在飽和區，即需要滿足Vgs－Vth＜VDD－V_Anode，其中Vth為T1的閾值電壓。對于大尺寸頂發射AMOLED面板，如電源低電壓VSS受限于透明陰極高阻抗影響，出現較大的IR壓降，則VSS上升導致V_Anode上升，T1工作在線性區，現有像素電路失效。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種頂發射AMOLED像素電路，解決電源低電壓VSS電壓抬升引起的電路失效問題。

本發明的另一目的在于提供一種頂發射AMOLED像素電路的驅動方法，解決電源低電壓VSS電壓抬升引起的電路失效問題。

為實現上述目的，本發明提供了一種頂發射AMOLED像素電路，包括：

第一薄膜晶體管，其柵極連接第一節點，源極和漏極分別連接第二節點和第三節點；

第二薄膜晶體管，其柵極連接掃描信號，源極和漏極分別連接第一節點和數據信號；

第三薄膜晶體管，其柵極連接掃描信號，源極和漏極分別連接第二節點和參考電壓；