[發(fā)明專利]頂發(fā)射AMOLED像素電路及其驅(qū)動方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710736699.1 | 申請日： | 2017-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN107393477B | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 韓佰祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/3233 | 分類號： | G09G3/3233 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人： | 林才桂;劉巍 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)射 amoled 像素 電路 及其 驅(qū)動 方法 | ||
1.一種頂發(fā)射AMOLED像素電路，其特征在于，包括：
第一薄膜晶體管(T1)，其柵極連接第一節(jié)點(G)，源極和漏極分別連接第二節(jié)點(S)和第三節(jié)點(D)；
第二薄膜晶體管(T2)，其柵極連接掃描信號(Scan)，源極和漏極分別連接第一節(jié)點(G)和數(shù)據(jù)信號(Data1)；
第三薄膜晶體管(T3)，其柵極連接掃描信號(Scan)，源極和漏極分別連接第二節(jié)點(S)和參考電壓(Ref)；
第四薄膜晶體管(T4)，其柵極連接掃描信號(Scan)，源極和漏極分別連接第三節(jié)點(D)和電源高電壓(Data2)；
第一電容(Cst)，其兩端分別連接第一節(jié)點(G)和第二節(jié)點(S)；
第二電容(C)，其兩端分別連接第三節(jié)點(D)和參考電壓(Ref)；
OLED，其陽極連接第二節(jié)點(S)，陰極連接電源低電壓(VSS)；
其中，該電源高電壓(Data2)根據(jù)電源低電壓(VSS)確定，該電源高電壓(Data2)與電源低電壓(VSS)之間的差值保持不變，該參考電壓(Ref)小于OLED的開啟電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路，其特征在于，該掃描信號(Scan)的時序配置為包括補償階段，以及發(fā)光階段。
3.如權(quán)利要求2所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路，其特征在于，在補償階段，該掃描信號(Scan)為高電位。
4.如權(quán)利要求2所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路，其特征在于，在發(fā)光階段，該掃描信號(Scan)為低電位。
5.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路，其特征在于，該參考電壓(Ref)保持不變。
6.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)，第二薄膜晶體管(T2)，第三薄膜晶體管(T3)，以及第四薄膜晶體管(T4)為低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管。
7.一種如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路的驅(qū)動方法，其特征在于，包括：該掃描信號(Scan)的時序配置為包括補償階段，以及發(fā)光階段。
8.如權(quán)利要求7所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路的驅(qū)動方法，其特征在于，在補償階段，該掃描信號(Scan)為高電位。
9.如權(quán)利要求7所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路的驅(qū)動方法，其特征在于，在發(fā)光階段，該掃描信號(Scan)為低電位。
10.如權(quán)利要求7所述的頂發(fā)射AMOLED像素電路的驅(qū)動方法，其特征在于，該參考電壓(Ref)保持不變。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，未經(jīng)深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710736699.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
