[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板有效
| 申請號: | 201710736588.0 | 申請日: | 2017-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN107331691B | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發明(設計)人: | 高昕偉;王輝鋒;王東方 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
基板;
圖案化形成在所述基板上的陽極層、第一像素界定層和輔助陰極層;其中,所述第一像素界定層劃分出多個像素單元,所述輔助陰極層設置在所述像素單元相對的兩側,且相鄰兩像素單元的輔助陰極層之間具有搭接區域;
形成在所述輔助陰極層上的第二像素界定層;
覆蓋在所述第一像素界定層、所述第二像素界定層及所述陽極層上的有機發光層,所述第二像素界定層的橫截面為倒梯形;
覆蓋在所述有機發光層上的陰極層;
其中,在所述搭接區域,所述有機發光層在靠近所述輔助陰極層處斷裂,與所述輔助陰極層斷開,所述陰極層與所述輔助陰極層搭接;
所述第二像素界定層在所述搭接區域的投影覆蓋所述輔助陰極層在所述搭接區域的投影,并且倒梯形的頂邊寬度大于輔助陰極層底邊對應的最大寬度。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二像素界定層的厚度為0.2微米-1.5微米。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述輔助陰極的材料包括:鉬、鋁、銅、銀、鈮中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述輔助陰極的厚度為100納米~700納米。
5.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求1-4任一項所述的陣列基板。
6.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
在基板上圖案化形成陽極層、第一像素界定層和輔助陰極層,其中,所述第一像素界定層劃分出多個像素單元,所述輔助陰極層形成在所述像素單元相對的兩側,且相鄰兩像素單元的輔助陰極層之間具有搭接區域;
在所述輔助陰極層上形成第二像素界定層;
在所述第一像素界定層、所述第二像素界定層以及所述陽極層上形成有有機發光層,所述第二像素界定層的橫截面為倒梯形;
在所述有機發光層上形成所述陰極層;
其中,在所述搭接區域,所述有機發光層在靠近所述輔助陰極層處斷裂,與所述輔助陰極層斷開,所述陰極層與所述輔助陰極層搭接,所述第二像素界定層在所述搭接區域的投影覆蓋所述輔助陰極層在所述搭接區域的投影,并且倒梯形的頂邊寬度大于輔助陰極層底邊對應的最大寬度。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述在所述第一像素界定層、所述第二像素界定層以及所述陽極層上形成有所述有機發光層的 步驟,包括:
通過熱蒸鍍或者噴墨印刷方式形成有機發光層,以使在所述搭接區域,所述有機發光層在靠近所述輔助陰極層處斷裂,與所述輔助陰極層斷開。
8.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述在所述有機發光層上形成所述陰極層,包括:
通過熱蒸鍍或者濺射鍍膜的方式形成陰極層,以使在所述搭接區域,所述陰極層與所述輔助陰極層搭接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





