[發明專利]高壓芯片出光單元

有效

• 申請號: 201710735268.3
• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN109427948B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 孫智江
• 申請（專利權）人: 嘉興敏德汽車零部件有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/48
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 饒富春

1.一種高壓芯片出光單元，其特征在于：包括一立方體的邊緣調整座，所述的邊緣調整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷內設置有高壓芯片，所述的邊緣調整座的頂面整體向上凸起形成四個對稱分布的出光面，出光面的交界線的投影與所述的立方體的頂面的對角線相重合，所述的邊緣調整座的頂面上具有環繞四個出光面的多圈棱鏡結構，從而整體上構成一種花蕊花瓣結構，所述的邊緣調整座的頂面上四個角落各自凸起形成光學微調結構，每個所述的光學微調結構包括一朝外傾斜的斜面，所述的邊緣調整座的側面向內傾斜，所述的棱鏡結構的傾斜角小于所述的邊緣調整座側面的傾斜角，所述的光學微調結構的傾斜角小于所述的邊緣調整座側面的傾斜角、所述的棱鏡結構的傾斜角。

2.根據權利要求1所述的高壓芯片出光單元，其特征在于：每個所述的棱鏡結構的橫截面均呈向外傾斜的三角形。

3.根據權利要求1所述的高壓芯片出光單元，其特征在于：所述的棱鏡結構的傾斜角從內到外尺寸逐漸減小。

4.根據權利要求1所述的高壓芯片出光單元，其特征在于：每個所述的棱鏡結構的間隔從內到外逐漸增加。

5.根據權利要求1所述的高壓芯片出光單元，其特征在于：所述的棱鏡結構從內到外尺寸逐漸增加。

6.根據權利要求1所述的高壓芯片出光單元，其特征在于：所述的高壓芯片包括依次設置的藍寶石襯底、n-GaN層、多層量子阱層、p-GaN層，所述的n-GaN層上形成有n型電極，所述的p-GaN層上形成有p型電極。

7.根據權利要求6所述的高壓芯片出光單元，其特征在于：所述的p-GaN層與p型電極之間設置有透明電極層。