[發明專利]封裝薄膜及其應用

有效

• 申請號: 201710733074.X
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN109427692B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 朱佩;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/56;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.一種封裝薄膜，其特征在于：包括陶瓷晶粒和填充在陶瓷晶粒之間的金屬，且所述金屬溢出至所述陶瓷晶粒的骨架表面，形成復合物膜層。

2.根據權利要求1所述的封裝薄膜，其特征在于：所述金屬的質量為所述封裝薄膜質量的1-5％；和/或

所述陶瓷晶粒的材料包括氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氧化銅、氧化鎂和氧化鋅中的至少一種；和/或

所述金屬的熔點等于或低于1000℃。

3.根據權利要求1或2所述的封裝薄膜，其特征在于：所述金屬為鋁、鎂和錫中的至少一種；和/或

所述封裝薄膜的厚度為50nm-1μm。

4.一種電子裝置，包括：

襯底；

在襯底上形成的電子元件；和

權利要求1至3任意一項所述的封裝薄膜，所述封裝薄膜封裝所述電子元件。

5.一種電子裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基材，所述基材包括襯底和設置于所述襯底上的電子元件；

在所述基材上形成權利要求1至3任意一項所述的封裝薄膜，對所述電子元件進行封裝。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于：在所述基材上形成所述封裝薄膜的方法包括如下步驟：

采用射頻濺射的方法或采用將陶瓷材料和金屬共濺射的方法形成一層初始薄膜；

對形成的初始薄膜進行退火處理。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：采用射頻濺射的方法形成一層初始薄膜的工藝條件為：射頻濺射功率為30-80W，濺射氣壓為0.5-1Pa，濺射速率為0.5-1nm/s。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述采用射頻濺射的方法形成一層初始薄膜的步驟中采用的靶材通過如下方法制備得到：

將金屬顆粒與陶瓷粉體進行第一次球磨處理，后進行干燥處理，形成混合物粉末；

將所述混合物粉末進行預燒結處理后進行第二次球磨處理，獲得靶材前驅體；

將所述靶材前驅體模壓成型處理后進行燒結處理，制備得到所述靶材。

9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：采用將陶瓷材料和金屬共濺射成膜形成一層初始薄膜的工藝條件為：射頻濺射功率為30-60W，同時直流濺射功率為100-300W，濺射氣壓0.5-1Pa，共同沉積的速率0.5-1nm/s。

10.根據權利要求6-9任一所述的制備方法，其特征在于：所述對形成的初始薄膜進行火處理工藝條件為：溫度400-700℃，退火時間0.5-2h。