[發明專利]一種霍山石斛的育苗方法

在審

• 申請號: 201710727903.3
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN107593025A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 陳昌全
• 申請（專利權）人: 安徽山珍藏生態農業有限公司
• 主分類號: A01C1/00
• 分類號: A01C1/00;A01G24/40;A01G22/00;C05G3/02;C05G3/04;C05F17/00
• 代理公司: 合肥廣源知識產權代理事務所(普通合伙)34129
• 代理人: 李顯鋒

技術領域

本發明屬于霍山石斛種植技術領域，具體涉及一種霍山石斛的育苗方法。

背景技術

霍山石斛，又名米斛，蘭科石斛屬的草本植物，主要產區為安徽省霍山縣，野生石斛多生長于石縫、大樹和山谷中；是石斛中的極品，中國國家瀕臨滅絕的珍稀藥材。霍山石斛中富含多糖、氨基酸和石斛堿、石斛胺堿等十多種生物堿，具有抗腫瘤、增強機體免疫力、抗血小板聚集、治療白內障等作用，其中石斛多糖具有提高免疫力、抗腫瘤、可改善造血、凝血功能等作用；石斛生物堿可用于預防和治療關節炎，保護消化道粘膜急性或慢性損傷，特別用于防治急性的慢性消化道潰瘍。霍山石斛具有極高藥用及保健價值，被古人譽為“九大仙草”之一，但是由于霍山石斛生長環境范圍小，近年環境污染日益惡化、野生采摘過度、采摘后無人栽植等影響，導致野生霍山石斛急劇下降，瀕臨滅絕；而人工對霍山石斛育苗，受栽培土壤、溫度、濕度等因素影響，并且人工育苗霍山石斛易受黑斑病、炭疽病、蝸牛等害蟲的侵害，導致發芽率低，其自然發芽率為5%，人工育苗發芽率在30%左右，難以滿足霍山石斛規模化種植需求。

發明內容

本發明針對現有的問題：霍山石斛現狀，其含有的多糖、石斛堿等有效成分，具有提高免疫力、抗腫瘤、可改善造血、凝血功能等作用，具有極高的藥用和保健價值；但是，由于其生長環境特殊，近年來環境破壞嚴重，野生石斛瀕臨滅絕。人工育苗，受栽培土壤、溫度、濕度等因素影響，并且人工育苗霍山石斛易受黑斑病、炭疽病、蝸牛等害蟲的侵害，導致發芽率低，其自然發芽率為5%，人工育苗發芽率在30%左右，難以滿足霍山石斛規模化種植需求。為解決上述問題，本發明提供了一種霍山石斛的育苗方法。

本發明是通過以下技術方案實現的：

一種霍山石斛的育苗方法，包括以下步驟：

（1）種子處理：將霍山石斛種子進行殺菌處理，低溫烘干后與營養基質混合，培養基質中含有豐富的礦物質、蛋白質及生物堿等成分，可為種子提供營養和功能性成分供應，裝入麻質袋中埋藏在水分含量在7%-9%的細沙池中放置2-3個月，沙池具有較好溫度、濕度和通氣性，可促埋藏種子營養成分吸收積累，并提高種子對環境的適應性，埋藏深度為12-15cm，上部使用黑色雙層薄膜覆蓋，并在沙池兩側各留1個散熱孔，制得埋藏種子；

（2）種子催芽：將埋藏種子進行活化培養，提高種子代謝水平，再浸入發酵液中進行超聲波振蕩10-15min，然后放入22-25℃恒溫箱中保存30-34h，制得催芽種子；發酵液中含有的豐富氨基酸、礦物質、維生素、鞣酸、生物堿、植物激素等成分，為種子提供豐富的營養供應，功能性成分可促進種子細胞分裂和生長，并且能夠提高種子的抗病蟲害能力、環境適應力和抗逆性產生；

（3）溫室播種：將溫室栽種土壤進行整理，分三層鋪設，其中下層營養基質層2-3cm，提供礦物質和有機營養成分，中層植物肥料層0.5-1cm，含有豐富的氨基酸、糖類以及殺菌抑菌成分，可有效降低石斛生長中病蟲害率，上部黃土層厚度8-12cm，并對土壤噴灑發酵液，使用薄膜覆蓋后將溫度升至42-47℃處理20-24h，然后將催芽種子進行播種，播種深度為3-4cm，并每3-4天使用發酵液噴灑1次；

（4）溫室調節：對溫室內光照強度及二氧化碳含量進行調節，播種后1個月，光強強度為1800-2300lux，光照時間3-4h/天，二氧化碳體積濃度0.05%-0.06%,播種1個月之后，光照強度為2700-3200lux，光照時間6-8h/天，二氧化碳體積濃度為0.08%-0.1%，可有效提高植物光合作用以及體內營養物質積累，可提高霍山石斛的生長速度和藥用功效價值。

步驟（1）所述的殺菌處理，其殺菌液為50ppm次氯酸鈉，浸泡時間7-9min。

步驟（2）所述的營養基質，其配制方法為：

按照質量計份稱取玉米粉21-24份、花生粕15-18份、草木灰10-14份、過磷酸鈣礦石粉6-8份、石斛渣7-8份、鐵礦石粉3-5份、竹葉粉5-8份、豬肝粉1-3份，將原料粉碎混合后在1-2MPa磁化器中處理24-30min，再加入其質量4%-5%的混合菌劑在23-27℃發酵罐中發酵4-5天，制得營養基質。

步驟（2）所述的活化培養，其溫度為16-19℃，時間10-14h。

步驟（2）所述的發酵液，其配制方法為：