[發(fā)明專利]一種具有抗SEB能力的VDMOS器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710726322.8
• 申請(qǐng)日: 2017-08-22
• 公開（公告）號(hào): CN107546273B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任敏;林育賜;蘇志恒;何文靜;李澤宏;張波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種具有抗SEB能力的VDMOS器件，從下到上依次層疊金屬化漏極(101)、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底(102)、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層(103)、金屬化源極(110)；所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層(103)內(nèi)部上表面左右兩側(cè)分別具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(108)；每個(gè)第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(108)內(nèi)部上表面具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)(106)和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)(107)；所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)(106)和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)(107)均與金屬化源極(110)連接；兩側(cè)的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(108)之間具有柵極結(jié)構(gòu)；所述柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅柵電極(104)與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層(103)、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(108)和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)(106)三者之間隔著柵氧化層(105)；所述多晶硅柵電極(104)與金屬化源極(110)之間填充絕緣介質(zhì)層(109)，其特征在于：所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(108)的底部具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的載流子引導(dǎo)區(qū)(11)；第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的載流子引導(dǎo)區(qū)(11)的雜質(zhì)濃度非均勻分布，其雜質(zhì)濃度的分布方式為：在器件的橫向方向上，從靠近柵極結(jié)構(gòu)指向遠(yuǎn)離柵極的方向上，雜質(zhì)濃度逐漸降低；第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)(108)下方的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的載流子引導(dǎo)區(qū)(11)，在橫向上包括n個(gè)具有不同摻雜濃度的子區(qū)域(111、112……11n)，n大于等于3，且子區(qū)域的摻雜濃度滿足：隨著與多晶硅柵電極(104)的距離逐漸增大，子區(qū)域的摻雜濃度逐漸減小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有抗SEB能力的VDMOS器件，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體或者所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的材料為體硅、碳化硅、砷化鎵、磷化銦或者鍺硅復(fù)合材料其中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有抗SEB能力的VDMOS器件，其特征在于：第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型；或者第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。