[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710718432.X | 申請日: | 2017-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN108630628A | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 江永平;史朝文;蕭閔謙;吳念芳;張守仁;江佾澈 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反射器 管芯 模塑化合物 封裝結(jié)構(gòu) 天線結(jié)構(gòu) 圖案 穿孔 圖案設置 管芯電 包封 包覆 穿透 | ||
本公開提供一種封裝結(jié)構(gòu),所述封裝結(jié)構(gòu)包括:管芯;第一模塑化合物,包封所述管芯;天線結(jié)構(gòu);以及反射器圖案,設置在所述管芯之上。穿透所述第一模塑化合物的穿孔設置在所述管芯周圍。所述反射器圖案設置在所述管芯及所述穿孔上。所述天線結(jié)構(gòu)設置在所述反射器圖案上且與所述反射器圖案及所述管芯電連接。所述天線結(jié)構(gòu)被設置在所述反射器圖案上的第二模塑化合物包覆。
本申請主張在2017年3月20日提出申請的序列號為第62/474,021號的美國臨時申請的優(yōu)先權(quán)權(quán)利。上述專利申請的全文并入本文供參考且構(gòu)成本說明書的一部分。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例涉及封裝結(jié)構(gòu)以及封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)
用于各種電子應用(例如,手機及其他移動電子設備)中的許多半導體裝置及集成電路是在單個半導體晶片上制造而成。可在晶片級上對晶片的管芯進行加工及封裝,且已研發(fā)出各種技術(shù)用于晶片級封裝。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)。所述封裝結(jié)構(gòu)包括:管芯;第一模塑化合物,環(huán)繞所述管芯;以及穿孔,設置在所述管芯旁邊且圍繞所述管芯,并穿透所述第一模塑化合物。反射器圖案設置在所述管芯及所述穿孔上。所述反射器圖案電連接到所述穿孔。天線結(jié)構(gòu)設置在所述反射器圖案上且與所述反射器圖案及所述管芯電連接。第二模塑化合物設置在所述反射器圖案上且環(huán)繞所述天線結(jié)構(gòu)。
附圖說明
結(jié)合附圖閱讀以下詳細說明,會最好地理解本公開的各個方面。應注意,根據(jù)本行業(yè)中的標準慣例,各種特征并非按比例繪制。事實上,為論述清晰起見,可任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1是示出根據(jù)本公開一些實施例制作封裝結(jié)構(gòu)的方法的工藝步驟的示例性流程圖。
圖2A至圖2J是示出根據(jù)本公開的一些實施例,封裝結(jié)構(gòu)在制作封裝結(jié)構(gòu)的方法的的各個階段處的示意性剖視圖。
圖3是示出根據(jù)本公開一些實施例的封裝結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。
圖4A及圖4C是示出根據(jù)本公開一些實施例的封裝結(jié)構(gòu)的一些部分的示例性布局的示例性俯視圖。
圖4B是示出根據(jù)本公開一些實施例的封裝結(jié)構(gòu)的一些部分的示例性布局的示例性三維圖。
具體實施方式
以下公開內(nèi)容提供用于實作所提供主題的不同特征的許多不同的實施例或?qū)嵗R韵玛U述組件及構(gòu)造的具體實例以簡化本公開內(nèi)容。當然,這些僅為實例且不旨在進行限制。例如,以下說明中將第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成為直接接觸的實施例,且也可包括其中第一特征與第二特征之間可形成有附加特征、進而使得所述第一特征與所述第二特征可能不直接接觸的實施例。另外,本公開內(nèi)容可能在各種實例中重復使用參考編號及/或字母。這種重復使用是出于簡潔及清晰的目的,而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關(guān)系。
此外,為易于說明,本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面 (below)”、“下部的(lower)”、“之上(above)”、“上部的(upper)”等空間相對性用語來闡述圖中所示的一個元件或特征與另一(其他)元件或特征的關(guān)系。所述空間相對性用語旨在除圖中所繪示的取向外還囊括裝置在使用或操作中的不同取向。裝置可具有其他取向(旋轉(zhuǎn)90度或其他取向),且本文中所用的空間相對性用語可同樣相應地進行解釋。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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