[發明專利]聚偏二氟乙烯薄膜、其形成方法及純化鹽水的方法

在審

• 申請號: 201710707245.1
• 申請日: 2017-08-17
• 公開（公告）號: CN108570155A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 李佳玲;黃立德;童國倫
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L27/16;C08K9/02;C08K7/24;D01D1/02;D04H3/007;D01D5/24;B01D71/34;B01D67/00;C02F1/44
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種聚偏二氟乙烯薄膜，包括熔融粘度介于35至60千泊之間的聚偏二氟乙烯，且該聚偏二氟乙烯薄膜的表面孔洞尺寸介于0.1微米至5微米之間。

2.如權利要求1所述的聚偏二氟乙烯薄膜，其中該聚偏二氟乙烯薄膜的表面孔洞尺寸介于0.5微米至3微米之間。

3.如權利要求1所述的聚偏二氟乙烯薄膜，其中該聚偏二氟乙烯薄膜的表面粗糙度介于70納米至100納米之間。

4.如權利要求1所述的聚偏二氟乙烯薄膜，更包括一氧化改質的納米碳管。

5.如權利要求4所述的聚偏二氟乙烯薄膜，其中該氧化改質的納米碳管與聚偏二氟乙烯的重量比介于100:8000至100:40000之間。

6.如權利要求1所述的聚偏二氟乙烯薄膜，其厚度介于80微米至200微米之間。

7.如權利要求1所述的聚偏二氟乙烯薄膜，其與水的接觸角介于120度至140度之間。

8.如權利要求1所述的聚偏二氟乙烯薄膜，其抗拉強度介于0.6MPa至3.5Mpa之間。

9.一種聚偏二氟乙烯薄膜的形成方法，包括：

將熔融粘度介于35至60千泊的聚偏二氟乙烯溶于三乙磷酸酯中，以形成一聚偏二氟乙烯溶液；

以及將該聚偏二氟乙烯溶液直接置入水中，以形成一聚偏二氟乙烯薄膜，且該聚偏二氟乙烯薄膜表面的孔洞尺寸介于0.1微米至5微米之間。

10.如權利要求9所述的聚偏二氟乙烯薄膜的形成方法，其中該聚偏二氟乙烯溶液的聚偏二氟乙烯濃度介于6wt％至10wt％之間。

11.如權利要求9所述的聚偏二氟乙烯薄膜的形成方法，其中形成該聚偏二氟乙烯溶液的溫度介于30～80度。

12.如權利要求9所述的聚偏二氟乙烯薄膜的形成方法，其中將該聚偏二氟乙烯溶液置入水中的步驟包括：

將該聚偏二氟乙烯溶液置入一針頭的外管；

將水置入該針頭的一內管，其中該外管包覆該內管；以及

施加壓力至該外管與該內管，使該聚偏二氟乙烯溶液與水經一紡絲頭同時噴出至一收集槽的水中，以形成管狀的聚偏二氟乙烯薄膜。

13.如權利要求12所述的聚偏二氟乙烯薄膜的形成方法，其中該紡絲頭直接接觸該收集槽中的水，氣隙為0cm。

14.一種純化鹽水的方法，包括:

將權利要求1所述的聚偏二氟乙烯薄膜置于一熱鹽水端與一冷凈水端之間；以及

使該熱鹽水端中的水穿過該聚偏二氟乙烯薄膜后到達該冷凈水端。