[發明專利]對稱等離子體處理室

有效

• 申請號: 201710702460.2
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN107516627B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 詹姆斯·D·卡達希;哈密迪·塔瓦索里;阿吉特·巴拉克利斯納;陳智剛;安德魯·源;道格拉斯·A·小布什伯格;卡爾蒂克·賈亞拉曼;沙希德·勞夫;肯尼思·S·柯林斯
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種等離子體處理設備，包括：

蓋組件和室體，所述蓋組件和所述室體圍成處理區域；

排氣組件，所述排氣組件在所述室體內限定抽真空區域；

中心支撐構件，所述中心支撐構件在所述蓋組件下方被所述室體支撐；

襯底支撐組件，所述襯底支撐組件設置在所述處理區域與所述抽真空區域之間且能移動地耦合至所述中心支撐構件，所述襯底支撐組件包括下電極和支撐基座，所述下電極密封至所述中心支撐構件，所述中心支撐構件設置在中心區域中，所述中心區域從所述處理區域和所述抽真空區域密封；

多個抽空管道，所述多個抽空管道圍繞所述襯底支撐組件的中心軸線對稱地設置，并且將所述處理區域與所述抽真空區域流體地連接；

多個進出管，所述多個進出管貫穿所述室體且在所述中心支撐構件下方定位以提供對所述中心區域的進出，其中每一個進出管與所述處理區域豎直地間隔開。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理設備，其中，所述室體具有排氣端口，所述排氣端口貫穿所述室體形成，所述排氣端口圍繞所述襯底支撐組件的中心軸線是對稱的。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理設備，其中，所述蓋組件包括上電極，所述上電極具有：中心歧管，所述中心歧管配置成將處理氣體分配到所述處理區域中；以及一個或多個外部歧管，所述一個或多個外部歧管配置成將處理氣體分配到所述處理區域中。

4.根據權利要求3所述的等離子體處理設備，其中，所述蓋組件還包括環形歧管，所述環形歧管經由多個氣體管耦合到所述一個或多個外部歧管，所述多個氣體管圍繞所述襯底支撐組件的中心軸線對稱地布置。

5.根據權利要求1所述的等離子體處理設備，其中，所述蓋組件包括：

各自都具有導電配件的流體入口和流體出口；以及

多個導電塞，其中，所述導電配件和導電塞圍繞所述襯底支撐組件的中心軸線對稱地布置。

6.根據權利要求1所述的等離子體處理設備，還包括：

真空管，所述真空管設成貫穿所述進出管中的一者，并流體地耦合到設置在所述下電極內的一個或多個升降銷孔。

7.根據權利要求1所述的等離子體處理設備，還包括：

第一致動裝置，所述第一致動裝置設置在所述中心區域內，耦合至所述中心支撐構件，并配置成將所述襯底支撐組件豎直地移動一距離。

8.根據權利要求7所述的等離子體處理設備，其中，所述距離與所述進出管中的每一個進出管的開口的豎直長度相等。

9.根據權利要求1所述的等離子體處理設備，還包括：

第二致動裝置，所述第二致動裝置設置在所述中心區域內，并配置成豎直地移動設置在所述襯底支撐組件內的多個襯底支撐銷。

10.根據權利要求1所述的等離子體處理設備，還包括：

上襯里，其中所述上襯里包圍所述處理區域，其中所述上襯里具有圓柱形壁，所述圓柱形壁具有多個槽，所述多個槽貫穿所述圓柱形壁而設置并圍繞所述襯底支撐組件的中心軸線對稱地布置。

11.根據權利要求10所述的等離子體處理設備，還包括：

背襯，所述背襯耦合到所述圓柱形壁而覆蓋所述多個槽中的至少一者。

12.根據權利要求10所述的等離子體處理設備，還包括：

網襯，所述網襯圍繞所述襯底支撐組件環形地設置并電耦合至所述上襯里。

13.根據權利要求12所述的等離子體處理設備，其中所述網襯耦合至所述上襯里的底壁且具有貫穿所述網襯設置的多個開孔，所述多個開孔圍繞所述網襯的中心軸線對稱地布置。