[發明專利]一種改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法

在審

• 申請號: 201710702048.0
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN107611027A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 許開東
• 申請（專利權）人: 江蘇魯汶儀器有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;B81C1/00
• 代理公司: 北京得信知識產權代理有限公司11511
• 代理人: 孟海娟

1.一種改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，在完成深硅刻蝕的工藝后對側壁進行平坦化處理，其特征在于，

包括以下步驟：

沉積步驟，在刻蝕所形成的高深寬比結構的側壁上沉積一定厚度的硅層；

刻蝕步驟，對所述硅層進行各向同性刻蝕；以及

判斷步驟，判斷側壁粗糙度是否達到預設值，若判斷為側壁粗糙度尚未達到預定值則返回到上述沉積步驟從而重復上述沉積步驟至所述刻蝕步驟的循環，若判斷為側壁粗糙度已經達到預定值則結束。

2.根據權利要求1所述的改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，其特征在于，

所述硅層的沉積厚度根據所述側壁粗糙度進行設定。

3.根據權利要求2所述的改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，其特征在于，

所述硅層的沉積厚度與所述粗糙度值相同。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，其特征在于，

在所述刻蝕步驟中所述硅層的刻蝕厚度與所述硅層的沉積厚度相同。

5.根據權利要求1所述的改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，其特征在于，

所述硅層為多晶硅或非晶硅。

6.根據權利要求5所述的改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，其特征在于，

采用低壓力化學氣相沉積法或脈沖等離子增強化學氣相沉積法形成所述硅層。

7.根據權利要求1所述的改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，其特征在于，

在所述刻蝕步驟中，采用XeF₂氣體對所述硅層進行刻蝕。

8.根據權利要求1所述的改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，其特征在于，

所述高深寬比結構為深槽或通孔。

9.根據權利要求1所述的改善深硅刻蝕側壁粗糙度的方法，其特征在于，

所述高深寬比結構采用博世工藝刻蝕形成。