[發(fā)明專(zhuān)利]一種OLED器件及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710696908.4
• 申請(qǐng)日: 2017-08-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107507917B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李錫平;孫文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種OLED器件及其制備方法、顯示裝置，屬于OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的在較低灰階下，OLED器件兩端電壓低于綠色像素的開(kāi)啟電壓時(shí)容易出現(xiàn)發(fā)紅現(xiàn)象的問(wèn)題。本發(fā)明的OLED器件中部分子像素的發(fā)光材料層與第一電極之間的空穴注入層數(shù)少于其它子像素的發(fā)光層與第一電極之間的空穴注入層數(shù)，這樣可以不僅能降低不同顏色的子像素的開(kāi)啟電壓差，還能提高器件的發(fā)光效率。相當(dāng)于有效調(diào)節(jié)器件多色光開(kāi)啟電壓的差異性，從而避免低灰階發(fā)紅不良等現(xiàn)象。本發(fā)明的OLED器件適用于各種顯示裝置。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種OLED器件及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

通常情況下，在有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器件中，R、G、B發(fā)光像素具有相同的器件結(jié)構(gòu)，不同顏色像素的發(fā)光材料層中激發(fā)發(fā)光材料發(fā)出R，G，B三色光所需能量大小順序?yàn)棣?Sub>R<ν_G<ν_B。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題：當(dāng)R，G，B具有相同的結(jié)構(gòu)時(shí)，各色的開(kāi)啟電壓是不相同的，一般V_R<V_G<V_B。這將導(dǎo)致OLED器件在較低灰階點(diǎn)燈時(shí)，例如，器件兩端電壓差低于V_G時(shí)，出現(xiàn)發(fā)紅現(xiàn)象。隨著OLED技術(shù)的不斷發(fā)展，要求功耗的不斷降低，即不斷降低VSS電壓的絕對(duì)值。這意味著發(fā)光階段施加于OLED器件兩端的壓差在不斷降低，在較低灰階下，器件兩端電壓低于G像素的開(kāi)啟電壓則更容易出現(xiàn)發(fā)紅現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的在較低灰階下，OLED器件兩端電壓低于綠色像素的開(kāi)啟電壓時(shí)容易出現(xiàn)發(fā)紅現(xiàn)象的問(wèn)題，提供一種OLED器件及其制備方法、顯示裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種OLED器件，包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括多個(gè)不同顏色的子像素，每個(gè)子像素包括第一電極、第二電極，以及夾設(shè)在所述第一電極、第二電極之間的發(fā)光材料層，每個(gè)子像素的發(fā)光材料層與第一電極之間均設(shè)有空穴注入層，部分子像素的發(fā)光材料層與第一電極之間的空穴注入層數(shù)少于其它子像素的發(fā)光材料層與第一電極之間的空穴注入層數(shù)，以減小不同顏色的子像素的開(kāi)啟電壓差。

優(yōu)選的是，所述多個(gè)不同顏色的子像素包括紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素，所述紅色子像素的發(fā)光材料層與第一電極之間的空穴注入層數(shù)少于綠色子像素、藍(lán)色子像素的發(fā)光材料層與第一電極之間的空穴注入層數(shù)。

優(yōu)選的是，所述紅色子像素包括由第一空穴注入層構(gòu)成的單層空穴注入層，所述綠色子像素、藍(lán)色子像素包括由第一空穴注入層、第二空穴注入層構(gòu)成的雙層空穴注入層。

優(yōu)選的是，所述第二空穴注入層的厚度為5-15nm。

優(yōu)選的是，所述紅色子像素的第一空穴注入層的厚度為10-25nm；所述綠色子像素、藍(lán)色子像素的第一空穴注入層的厚度為5-10nm。

優(yōu)選的是，所述第一空穴注入層材料的HOMO能級(jí)在4.9～5.1V之間，第二空穴注入層材料HOMO能級(jí)在5.2～5.3V之間。

其中，HOMO能級(jí)是指：已占有電子的能級(jí)最高的軌道稱(chēng)為最高已占軌道，用HOMO表示。未占有電子的能級(jí)最低的軌道稱(chēng)為最低未占軌道，用LUMO表示。HOMO、LUMO統(tǒng)稱(chēng)為前線(xiàn)軌道，處在前線(xiàn)軌道上的電子稱(chēng)為前線(xiàn)電子。

優(yōu)選的是，所述紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素的開(kāi)啟電壓相同。

本發(fā)明還提供一種OLED器件的制備方法，包括以下步驟：

形成第一電極；