[發明專利]一種全固態光子增強熱電子發射器件

在審

• 申請號: 201710690593.2
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN109390420A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 孫海倫
• 申請（專利權）人: 孫海倫
• 主分類號: H01L31/0304
• 分類號: H01L31/0304
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種全固態光子增強熱電子發射器件，從上至下依次包括：透明導電氧化物層，用于減少載流子復合的背表面場鈍化層，用于吸收太陽光的陰極吸收層，高導電高絕熱半導體材料層和用于收集陰極發射電子的陽極，其特征在于：

所述背表面場鈍化層與陰極吸收層包括由不同摻雜濃度構成的高低結結構；

所述高導電高絕熱半導體材料層為“聲子玻璃/電子晶體”，該類材料晶體結構中具有三種不同的結晶學位置，其中兩種位置的原子組成基本的晶體結構，且主導能帶結構，而第三種原子則位于前兩種原子構成的籠狀空隙位置，且與周圍原子弱結合；

所述陰極吸收層與高導電高絕熱層和高導電高絕熱層與陽極之間的導帶帶階與對應的價帶帶階使電子向陽極傳輸而阻擋空穴向陽極輸運；

所述高低結結構由P⁺-GaAs/P-GaAs構成。

2.如權利要求1所述全固態光子增強熱電子發射器件，其特征在于：所述透明導電氧化物層為P型或N型透明導電氧化物薄膜。

3.如權利要求1-2任一所述全固態光子增強熱電子發射器件，其特征在于：所述高導電高絕熱層選用稀土元素填充的基質方鈷礦材料，稀土元素為La和Ce中的至少一種，方鈷礦材料為CoAs₃、CoSb₃或IrSb₃。

4.如權利要求1所述全固態光子增強熱電子發射器件，其特征在于：還包括一個設置于透明導電氧化物層上方的聚光裝置。