[發(fā)明專利]一種減少擴(kuò)散面刻蝕線的工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710689661.3
• 申請(qǐng)日: 2017-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN107492488A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉文國(guó);蘇世杰;李強(qiáng)強(qiáng);張玉前;周守亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通威太陽(yáng)能（安徽）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L31/18
• 代理公司: 昆明合眾智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所53113
• 代理人: 張璽

1.一種減少擴(kuò)散面刻蝕線的工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、鍍固態(tài)邊框膜：沿著待刻蝕硅片的擴(kuò)散面邊緣，鍍一層寬度1～2mm、高度0.5～1mm的固態(tài)邊框膜；

S2、加水成型水膜：向S1中得到的固態(tài)邊框膜內(nèi)腔中加入水，形成一定高度的水膜；

S3、進(jìn)行刻蝕：將S2中成型水膜后的待刻蝕硅片放入常規(guī)刻蝕設(shè)備進(jìn)行刻蝕；

S4、去除膜層：將S3中刻蝕完成后的硅片進(jìn)行水膜和固態(tài)邊框膜的去除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少擴(kuò)散面刻蝕線的工藝，其特征在于：S2中水膜的高度為固態(tài)邊框膜高度的三分之二。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少擴(kuò)散面刻蝕線的工藝，其特征在于：固態(tài)邊框膜為石蠟?zāi)?，水膜為去離子水膜。