[發明專利]應用于LVDS驅動電路的低溫度系數參考電壓源有效
| 申請號： | 201710685673.9 | 申請日： | 2017-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN107463198B | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發明（設計）人： | 高靜;周游;徐江濤;史再峰;聶凱明 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 劉國威 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應用于 lvds 驅動 電路 溫度 系數 參考 電壓 | ||
【權利要求書】：
1.一種應用于LVDS驅動電路的低溫度系數參考電壓源，其特征是，由一個NMOS管NX,兩個PMOS管P1和P2，三個電阻分別是R2a、R2b和R1，以及一個放大器OTA組成；連接關系如下：放大器OTA的負輸入端與節點B連接，正輸入端與節點A連接，輸出與節點D連接。電阻R1的端1與地連接，端2與節點A連接；PMOS管P1的漏極與節點A連接，源極與電源連接，襯底與電源連接，柵極與節點D連接；PMOS管P2的漏極與節點B連接，源極與電源連接，襯底與電源連接，柵極與節點D連接；電阻R2a的端1與節點C連接，端2與節點B連接；電阻R2b的端1與節點C連接，電阻R2b的端2與NMOS管NX的漏極連接；NMOS管NX的源端接地，襯底接地，柵極與節點B連接，漏極與電阻R2b的端2連接。
2.如權利要求1所述的應用于LVDS驅動電路的低溫度系數參考電壓源，其特征是，在一個實例中，PMOS管P1和P2的柵長為16um，柵寬為320um，NMOS管的柵長為4um，柵寬為26.7um，電阻R1的大小為100KΩ,電阻R2a的大小為11.2KΩ，電阻R2b的大小為63.2KΩ。
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