[發(fā)明專利]顯示設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710684996.6
• 申請(qǐng)日: 2017-08-11
• 公開（公告）號(hào): CN107768312B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李善熙;李弼錫;樸注燦;薛英國
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/00
• 分類號(hào): H01L23/00;H01L27/12;G09F9/33;B82Y40/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達(dá)佐;劉錚

1.一種顯示設(shè)備，包括：

阻擋層，設(shè)置在襯底上；

緩沖層，在所述阻擋層上；

晶體管，設(shè)置在所述緩沖層上，所述晶體管包括：

半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述緩沖層上；

柵電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上；

源電極，電連接至所述半導(dǎo)體層；以及

漏電極，電連接至所述半導(dǎo)體層，以及

第一沖擊緩沖層，設(shè)置在所述阻擋層和所述晶體管之間，

其中，所述顯示設(shè)備還包括：

第一絕緣層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和所述柵電極之間，

其中所述第一絕緣層覆蓋所述半導(dǎo)體層和所述緩沖層；

第二絕緣層，設(shè)置在所述柵電極與所述源電極以及所述柵電極與所述漏電極之間，其中所述第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層和所述柵電極；以及

第三絕緣層，設(shè)置在所述第二絕緣層與所述源電極以及所述第二絕緣層與所述漏電極之間，其中所述第三絕緣層覆蓋所述第二絕緣層和所述第一沖擊緩沖層，

其中所述第一沖擊緩沖層包括納米結(jié)構(gòu)，其中所述納米結(jié)構(gòu)包括孔隙，以及

其中所述第三絕緣層直接接觸所述第一沖擊緩沖層。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述第一沖擊緩沖層包括碳基材料和氧基材料中的至少一種。

3.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述第一沖擊緩沖層的孔隙率是2％至45％。

4.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中：

所述緩沖層被圖案化以部分地覆蓋所述第一沖擊緩沖層；以及

所述半導(dǎo)體層與所述緩沖層的一部分重疊。

5.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中：

所述第一絕緣層包括無機(jī)材料；以及

所述無機(jī)材料包括氮化物或氧化物。

6.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中：

所述第二絕緣層包括無機(jī)材料；以及

所述無機(jī)材料包括氮化物或氧化物。

7.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中：

所述第三絕緣層包括有機(jī)材料；以及

所述有機(jī)材料包括亞苯基、硅氧烷和聚酰亞胺中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，還包括：

第二沖擊緩沖層，設(shè)置在所述襯底和所述阻擋層之間。

9.如權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中所述第二沖擊緩沖層包括與所述第一沖擊緩沖層相同的材料。

10.如權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中所述第二沖擊緩沖層還包括有機(jī)材料。

11.如權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中所述有機(jī)材料包括聚酰亞胺、聚氨酯彈性體、硅氧烷和硅氧烷雜化物中的至少一種。