[發明專利]多層式堆疊結構的制作設備以及薄膜電容器的制作方法

有效

• 申請號: 201710683235.9
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN109390149B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 錢明谷;鄭敦仁
• 申請（專利權）人: 鈺邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/33
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁麗超;田喜慶

本發明公開了一種多層式堆疊結構的制作設備以及薄膜電容器的制作方法。薄膜電容器的制作方法包括：提供一承載基板；形成多個第一材料層以及多個第二材料層，多個第一材料層與多個第二材料層交替堆疊在承載基板上，以形成一多層式堆疊結構；以及，形成兩個端電極結構，以分別包覆多層式堆疊結構的兩相反側端部。每一個第一材料層由一第一材料層成型設備所形成，且每一個第二材料層由一第二材料層成型設備所形成。第一材料層成型設備與第二材料層成型設備兩者其中之一為一共蒸鍍設備。借此，共蒸鍍設備能通過共蒸鍍的方式同時提供絕緣材料與導電材料，以形成第一材料層與第二材料層兩者其中之一層。

技術領域

本發明涉及一種多層式堆疊結構的制作設備以及薄膜電容器的制作方法，特別是涉及一種用于提升介電常數的多層式堆疊結構的制作設備以及薄膜電容器的制作方法。

背景技術

電容器已廣泛地被使用于消費性家電用品、計算機主板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本組件，其主要的作用包括：濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等。是電子產品中不可缺少的組件之一。電容器依照不同的材質及用途，有不同的型態。包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。現有技術所制作出的薄膜電容器的整體結構過于復雜而需要改善，并且現有技術所制作出的薄膜電容器所能提供的介電常數過低而需要改善。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足提供一種多層式堆疊結構的制作設備以及薄膜電容器的制作方法。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種薄膜電容器的制作方法，其包括：提供一承載基板；形成多個第一材料層以及多個第二材料層，其中，多個所述第一材料層與多個所述第二材料層交替堆疊在所述承載基板上，以形成一多層式堆疊結構；以及，形成兩個端電極結構，以分別包覆所述多層式堆疊結構的兩相反側端部。其中，每一個所述第一材料層由一第一材料層成型設備所形成，每一個所述第二材料層由一第二材料層成型設備所形成，且所述第一材料層成型設備與所述第二材料層成型設備兩者其中之一為一共蒸鍍設備；其中，所述共蒸鍍設備通過共蒸鍍的方式同時提供絕緣材料與導電材料，以形成所述第一材料層與所述第二材料層兩者其中之一層。

更進一步地，所述第一材料層為一金屬材料層，且所述第二材料層為一內部混入多個隨機分布的導電顆粒的絕緣材料層，其中，所述第一材料層成型設備為一用于形成所述金屬材料層的金屬材料層成型設備，所述第二材料層成型設備為所述共蒸鍍設備，所述絕緣材料層由所述共蒸鍍設備所提供的所述絕緣材料所形成，且所述導電顆粒由所述共蒸鍍設備所提供的所述導電材料所形成。

更進一步地，所述金屬材料層成型設備包括一用于提供金屬材料的金屬材料成型模塊以及一鄰近所述金屬材料成型模塊的第一烘烤模塊，且所述金屬材料通過所述第一烘烤模塊的烘烤而形成所述金屬材料層，其中，所述共蒸鍍設備包括一用于提供所述絕緣材料的絕緣材料蒸鍍模塊、一用于提供所述導電材料的導電材料蒸鍍模塊以及一鄰近所述絕緣材料蒸鍍模塊與所述導電材料蒸鍍模塊的第二烘烤模塊，所述絕緣材料通過所述第二烘烤模塊的烘烤而形成所述絕緣材料層，且所述導電材料通過所述第二烘烤模塊的烘烤而形成所述導電顆粒，其中，所述導電顆粒的尺寸以及多個所述導電顆粒占所述絕緣材料層的百分比由所述絕緣材料與所述導電材料在共蒸鍍時的蒸發量所決定。

更進一步地，所述金屬材料層成型設備包括一用于成形所述金屬材料層的金屬材料成型模塊，且所述共蒸鍍設備包括一用于成形所述絕緣材料層的絕緣材料蒸鍍模塊以及一用于成形所述導電顆粒的導電材料蒸鍍模塊，其中，所述導電顆粒的尺寸以及多個所述導電顆粒占所述絕緣材料層的百分比由所述絕緣材料與所述導電材料在共蒸鍍時的蒸發量所決定。