[發(fā)明專利]裸芯頂出裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710680374.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107731723B | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李喜澈;崔一洛;李在卿 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海和躍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 余文娟 |
| 地址: | 韓國(guó)忠清*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裸芯頂出 裝置 | ||
1.一種裸芯頂出裝置,包括:
柱形罩殼;
盤形蓋,所述盤形蓋可轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝在所述罩殼的上部且具有多個(gè)通孔;
頂針,所述頂針插入所述通孔的一部分中且用來(lái)從切割帶中分離裸芯;和
驅(qū)動(dòng)部,所述驅(qū)動(dòng)部垂直移動(dòng)所述頂針以從所述切割帶中分離所述裸芯,
其中,所述通孔設(shè)置成多行多列,且由所述通孔組成的圖案的中心與所述蓋的中心分開預(yù)定的距離。
2.如權(quán)利要求1中所述的裸芯頂出裝置,其中所述通孔在X軸方向和Y軸方向上具有相同的間距,且
由所述通孔組成的圖案的中心在所述X軸和Y軸方向上分別與所述蓋的中心分開0.2-0.3倍的所述間距。
3.如權(quán)利要求1中所述的裸芯頂出裝置,其中多個(gè)球頭柱塞以均勻的間隔安裝在所述蓋的外周表面上,
供所述蓋插入的臺(tái)階部設(shè)置在所述罩殼的上部,且
供所述球頭柱塞的球頭插入的凹陷設(shè)置在所述臺(tái)階部的內(nèi)表面上。
4.如權(quán)利要求3中所述的裸芯頂出裝置,其中槽被設(shè)置在所述臺(tái)階部的內(nèi)表面上以在所述蓋轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)引導(dǎo)所述球頭柱塞的球頭。
5.如權(quán)利要求3中所述的裸芯頂出裝置,其中四個(gè)所述球頭柱塞被安裝在所述蓋的外周表面上,且四個(gè)所述凹陷設(shè)置在所述臺(tái)階部的內(nèi)表面。
6.如權(quán)利要求3中所述的裸芯頂出裝置,其中供傳動(dòng)所述蓋的工具插入的第二凹陷設(shè)置在所述蓋的上表面的邊緣部。
7.如權(quán)利要求1中所述的裸芯頂出裝置,還包括:
設(shè)置在所述罩殼中以支撐所述頂針的支撐元件;和
耦接至所述罩殼的下部的柱形體。
8.如權(quán)利要求7中所述的裸芯頂出裝置,其中所述驅(qū)動(dòng)部包括:
耦接至所述支撐元件的頭,和
連接至所述頭且向下延伸穿過(guò)所述柱形體的驅(qū)動(dòng)軸。
9.如權(quán)利要求8中所述的裸芯頂出裝置,其中永磁體被設(shè)置在所述支撐元件中以保持所述頂針并耦接所述頭。
10.如權(quán)利要求7中所述的裸芯頂出裝置,其中擋塊被安裝在所述罩殼的內(nèi)表面上以防止所述支撐元件與所述罩殼脫離。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





