[發明專利]一種基于硅通孔陣列的無片外電容LDO電路

有效

• 申請號: 201710680356.8
• 申請日: 2017-08-10
• 公開（公告）號: CN107402593B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 錢利波;桑吉飛;何錫濤;勵達
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 謝瀟

1.一種基于硅通孔陣列的無片外電容LDO電路，包括帶隙基準電路、誤差放大器、驅動器、輸出功率管和采樣電阻網絡，所述的誤差放大器的正輸入端與所述的采樣電阻網絡的輸出端連接，所述的誤差放大器的負輸入端與所述的帶隙基準電路的輸出端連接，所述的誤差放大器的輸出端與所述的驅動器的輸入端連接，所述的驅動器的輸出端驅動所述的輸出功率管，所述的輸出功率管的輸出端與所述的采樣電阻網絡的一端連接，所述的采樣電阻網絡的另一端接地，所述的帶隙基準電路、所述的誤差放大器、所述的驅動器和所述的輸出功率管分別接外部輸入電源，其特征在于還硅通孔電容，所述的輸出功率管的輸出端和所述的硅通孔電容的一端連接，所述的采樣電阻網絡的另一端和所述的硅通孔電容的另一端連接，所述的硅通孔電容由并行連接的N×N個同軸硅通孔以方塊陣列形式構成，每個所述的同軸硅通孔包括自內而外依次設置的金屬內芯、第一二氧化硅介質層、BCB介質層、第二二氧化硅介質層、金屬外芯和第三二氧化硅介質層，所述的N×N個同軸硅通孔的金屬內芯的一端分別經一第一金屬片并行連接，形成所述的硅通孔電容的輸入電極；所述的N×N個同軸硅通孔的第三二氧化硅介質層分別由一硅襯底包裹，所述的N×N個同軸硅通孔的沿方塊陣列一條或兩條邊長方向的任意相鄰的兩個同軸硅通孔的金屬外芯分別經一第二金屬片并行連接，形成所述的硅通孔電容的輸出電極，所述的輸出電極接地。

2.根據權利要求1所述的一種基于硅通孔陣列的無片外電容LDO電路，其特征在于所述的輸出功率管為一PMOS晶體管，所述的驅動器的輸出端與所述的PMOS晶體管的柵極連接，所述的PMOS晶體管的源極接所述的外部輸入電源，所述的PMOS晶體管的漏極分別與所述的采樣電阻網絡和所述的硅通孔電容的輸入電極連接。

3.根據權利要求2所述的一種基于硅通孔陣列的無片外電容LDO電路，其特征在于所述的采樣電阻網絡包括串聯的第一采樣電阻和第二采樣電阻，所述的第一采樣電阻的一端分別與所述的PMOS晶體管的漏極和所述的硅通孔電容的輸入電極連接，所述的第一采樣電阻的另一端與所述的第二采樣電阻的一端連接，所述的第二采樣電阻的另一端與所述的硅通孔電容的輸出電極連接并接地。