[發明專利]可變電阻存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710679593.2
• 申請日: 2017-08-10
• 公開（公告）號: CN107732007B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 堀井秀樹;樸盛健;安東浩;李政武
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種可變電阻存儲器件，包括：

位于基板之上的第一導電線，其中所述第一導電線的每個在第一方向上延伸，所述第一導電線設置在交叉所述第一方向的第二方向上，其中所述第一方向和所述第二方向基本上平行于所述基板的上表面；

第二導電線，所述第二導電線的每個在所述第二方向上延伸，其中所述第二導電線設置在所述第一方向上，其中所述第二導電線位于所述第一導電線之上，所述第二導電線包括第二金屬圖案和第三電極；

存儲單元，位于所述第一導電線和所述第二導電線之間，其中所述存儲單元在基本上垂直于所述基板的所述上表面的第三方向上交疊所述第一導電線和所述第二導電線，其中所述存儲單元包括：

第一電極；

位于所述第一電極上的可變電阻圖案；以及

位于所述可變電阻圖案上的第二電極；

選擇圖案，位于所述存儲單元上，

其中所述第三電極位于所述選擇圖案之上，其中所述第三電極與所述第二金屬圖案的每個的下表面直接接觸，

其中所述選擇圖案的上表面和所述第三電極的下表面具有彼此基本上相同的形狀和寬度，

其中所述選擇圖案沿著所述第一方向和所述第二方向的寬度比所述可變電阻圖案沿著所述第一方向和所述第二方向的寬度寬，

其中所述選擇圖案的下表面沿著所述第一方向和所述第二方向的寬度比所述第二電極的上表面沿著所述第一方向和所述第二方向的寬度大，以及

其中所述第一電極沿著所述第一方向截取的橫截面具有L形狀。

2.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中所述選擇圖案的下表面具有比所述第二電極的上表面的面積大的面積。

3.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，還包括位于所述第一電極上的間隔物，其中所述間隔物的上表面和所述第一電極的上表面與所述可變電阻圖案的下表面直接接觸。

4.如權利要求3所述的可變電阻存儲器件，其中所述間隔物包括硅氧化物。

5.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中所述第一電極與所述第一導電線的每個的上表面直接接觸。

6.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中所述第一電極和所述第二電極的每個包括鈦氮化物、鈦硅氮化物、鎢氮化物、鎢硅氮化物、鉭硅氮化物、鋯氮化物、鋯硅氮化物、鎢碳氮化物、鈦硅碳氮化物、鈦碳氮化物和/或鉭氮化物。

7.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中所述選擇圖案包括雙向閾值開關材料，該雙向閾值開關材料包括鍺、硅、砷和/或碲。

8.如權利要求7所述的可變電阻存儲器件，其中所述選擇圖案還包括硒、硫、碳、氮、銦和硼中的至少一種。

9.如權利要求7所述的可變電阻存儲器件，其中所述選擇圖案包括AsTeGeSiIn、GeTe、SnTe、GeSe、SnSe、AsTeGeSiSbS、AsTeGeSi、As₂Se₃Ge、As₂₅(Te₉₀Ge₁₀)₇₅、Te₂₈As_34.5Ge_15.5S₂₂、As₁₀Te₂₁S₂Ge₁₅Se₅₀Sb₂、Si₅Te₃₄As₂₈Ge₁₁S₂₁Se₁、AsTeGeSiSeNS、AsTeGeSiP、AsSe、AsGeSe、AsTeGeSe、ZnTe、GeTePb、GeSeTe、AlAsTe、SeAsGeC、SeTeGeSi、GeSbTeSe、GeBiTeSe、GeAsSbSe、GeAsBiTe、GeAsBiSe中的至少一種。