[發明專利]靈敏放大器電路有效
| 申請號: | 201710677477.7 | 申請日: | 2017-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN107464581B | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發明(設計)人: | 徐依然;肖軍;朱文毅 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/08 | 分類號: | G11C7/08;G11C7/06 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靈敏 放大器 電路 | ||
1.一種靈敏放大器電路,所述靈敏放大器電路連接一存儲器電路的位線單元,其特征在于,所述靈敏放大器電路包括鉗位單元、預充電單元、電流鏡單元和比較單元,其中:
所述預充電單元為所述鉗位單元充電以使所述鉗位單元形成位線電流;
所述電流鏡單元提供一參考電流;
所述位線電流與所述參考電流相比較形成數據點電壓;所述數據點電壓輸入到所述比較單元中,與一參考電壓比較,以使所述比較單元輸出數據讀取結果;
所述鉗位單元包括晶體管模塊、反相器模塊和模式轉換模塊;所述模式轉換模塊根據電源電壓的幅值控制所述晶體管模塊和所述反相器模塊的導通情況,以控制所述位線電流的形成速度;
所述晶體管模塊包括第一晶體管和第二晶體管,所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極連接所述預充電單元和所述電流鏡單元,所述第一晶體管和所述第二晶體管的源極連接所述模式轉換模塊,所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極連接所述反相器模塊的輸出端;
所述模式轉換模塊包括第三晶體管,所述第三晶體管的漏極連接所述第一晶體管的源極;所述第三晶體管的源極連接所述第二晶體管的源極、所述反相器模塊的輸入端和所述位線單元,所述第三晶體管的柵極電壓與電源電壓相關聯;
所述反相器模塊包括第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管,其中:
所述第四晶體管的柵極電壓與電源電壓相關聯,所述第二晶體管的源極連接電源;
所述第五晶體管的柵極連接所述第三晶體管的源極,所述第五晶體管的源極接地;
所述第六晶體管的柵極連接所述第三晶體管的源極,所述第六晶體管的源極連接電源;
所述第四晶體管、所述第五晶體管和所述第六晶體管的漏極連接在一起,并連接所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極;
所述電源的工作電壓值為第一閾值電壓時,所述第三晶體管的柵極電壓為第一電平,所述第四晶體管的柵極電壓為第二電平;所述電源的工作電壓值為第二閾值電壓時,所述第三晶體管的柵極電壓為第二電平,所述第四晶體管的柵極電壓為第一電平,所述第一閾值電壓大于所述第二閾值電壓。
2.如權利要求1所述的靈敏放大器電路,其特征在于,所述第一晶體管為零閾值N型場效應管,所述第二晶體管和所述第三晶體管為N型場效應管。
3.如權利要求1所述的靈敏放大器電路,其特征在于,所述第四晶體管和所述第六晶體管為P型場效應管,所述第五晶體管為N型場效應管。
4.如權利要求1所述的靈敏放大器電路,其特征在于,所述反相器模塊還包括第七晶體管,所述第七晶體管為P型場效應管,所述第七晶體管的柵極和漏極連接所述第一晶體管的柵極,所述第七晶體管的源極連接電源。
5.如權利要求4所述的靈敏放大器電路,其特征在于,所述靈敏放大器電路還包括第八晶體管,所述第八晶體管的源極連接電源,所述第八晶體管的漏極連接所述第四晶體管、所述第六晶體管和所述第七晶體管的源極,所述第八晶體管的柵極連接導通控制電壓。
6.如權利要求5所述的靈敏放大器電路,其特征在于,所述第八晶體管為P型場效應管,所述第八晶體管在靈敏放大器工作時處于導通狀態。
7.如權利要求1所述的靈敏放大器電路,其特征在于,所述第一電平小于所述第二電平,所述第一電平為0V。
8.如權利要求1所述的靈敏放大器電路,其特征在于,所述預充電單元為所述鉗位單元充電并在所述第三晶體管的源極與所述位線單元的連接處形成一位線電壓,所述位線電壓輸入給所述存儲器電路的位線單元,形成所述位線電流。
9.如權利要求1所述的靈敏放大器電路,其特征在于,所述預充電單元包括第九晶體管,所述第九晶體管為P型場效應管,所述第九晶體管的源極連接電源,所述第九晶體管的柵極連接預充電控制電壓,所述第九晶體管的漏極連接所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極。
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