[發(fā)明專利]一種針對模型提高漏電流溫度特性的方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710677464.X
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN107480366B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張昊
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: G06F30/30
• 分類號: G06F30/30
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種針對模型提高漏電流溫度特性的方法，其特征在于：該方法采用建立子電路的方式，所述子電路為針對器件漏電流的溫度特性部分的子電路，其中，于所述子電路中修改模型中的經(jīng)驗(yàn)公式，于經(jīng)驗(yàn)公式中加入溫度因子使漏電流Ioff及亞閾擺幅在各個(gè)溫度下均與實(shí)測值吻合；

該方法的步驟包括：

步驟一，選擇原有模型中亞閾區(qū)相關(guān)參數(shù)；

步驟二，在各個(gè)溫度下，分別提取選擇的所述亞閾區(qū)相關(guān)參數(shù)；

步驟三，針對所提取的所述亞閾區(qū)相關(guān)參數(shù)對溫度的特性，做出擬合曲線，提取擬合公式；

步驟四，建立子電路模型，將選擇的所述亞閾區(qū)相關(guān)參數(shù)的擬合公式按照模型仿真語言寫進(jìn)子電路；

步驟五，建立主電路，于主電路中調(diào)用該子電路模型。

2.如權(quán)利要求1所述的一種針對模型提高漏電流溫度特性的方法，其特征在于：該原有模型為BSIM3模型。

3.如權(quán)利要求2所述的一種針對模型提高漏電流溫度特性的方法，其特征在于：于步驟一中，選擇界面陷阱電容CIT，亞閾擺幅因子NFACTOR以及亞閾區(qū)偏離電壓VOFF做為修改模型的參數(shù)。

4.如權(quán)利要求3所述的一種針對模型提高漏電流溫度特性的方法，其特征在于，于步驟三中，擬合公式如下：

其中，citt為與溫度相關(guān)的界面陷阱電容，nfactort為與溫度相關(guān)的亞閾擺幅因子，vofft為與溫度相關(guān)的亞閾區(qū)偏離電壓，pt為溫度因子，單位℃。

5.一種針對模型提高漏電流溫度特性的系統(tǒng)，其特征在于：該系統(tǒng)采用建立子電路的方式，所述子電路為針對器件漏電流的溫度特性部分的子電路，其中，于所述子電路中修改模型中的經(jīng)驗(yàn)公式，于經(jīng)驗(yàn)公式中加入溫度因子使漏電流Ioff及亞閾擺幅在各個(gè)溫度下均與實(shí)測值吻合；

該系統(tǒng)包括：

參數(shù)選擇單元，用于選擇原有模型中亞閾區(qū)相關(guān)參數(shù)；

參數(shù)提取單元，用于在各個(gè)溫度下，分別提取選擇的三個(gè)所述亞閾區(qū)相關(guān)參數(shù)；

擬合公式提取單元，針對所提取的所述亞閾區(qū)相關(guān)參數(shù)對溫度的特性，做出擬合曲線，提取擬合公式；

子電路模型建立單元，用于建立子電路模型，將選擇的所述亞閾區(qū)相關(guān)參數(shù)的擬合公式按照模型仿真語言寫進(jìn)子電路；

主電路建立單元，用于建立主電路，于主電路中調(diào)用該子電路模型。

6.如權(quán)利要求5所述的一種針對模型提高漏電流溫度特性的系統(tǒng)，其特征在于：該原有模型為BSIM3模型。

7.如權(quán)利要求6所述的一種針對模型提高漏電流溫度特性的系統(tǒng)，其特征在于：該參數(shù)選擇單元選擇界面陷阱電容CIT，亞閾擺幅因子NFACTOR以及亞閾區(qū)偏離電壓VOFF做為修改模型的參數(shù)。

8.如權(quán)利要求7所述的一種針對模型提高漏電流溫度特性的系統(tǒng)，其特征在于，該擬合公式如下：

其中，citt為與溫度相關(guān)的界面陷阱電容，nfactort為與溫度相關(guān)的亞閾擺幅因子，vofft為與溫度相關(guān)的亞閾區(qū)偏離電壓，pt為溫度因子，單位為℃。