[發明專利]溝槽式肖特基的終端結構及溝槽式肖特基在審
| 申請號： | 201710669349.8 | 申請日： | 2017-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN109390416A | 公開（公告）日： | 2019-02-26 |
| 發明（設計）人： | 王萬禮;王彥君;孫晨光;徐長坡;劉曉芳;董子旭;劉闖;張晉英;劉文彬;李子科;杜曉輝;張建;趙曉麗;喬智;印小松;張新玲;張俊芳 | 申請（專利權）人： | 天津環鑫科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽式 肖特基 終端結構 終端區 多晶硅 原胞 正面金屬電極 外延層 填充 介質層表面 器件穩定性 襯底表面 電場分布 工藝難度 溝槽刻蝕 光刻工藝 難度降低 提升器件 柵氧化層 交界處 介質層 寬溝槽 窄溝槽 短接 光刻 刻蝕 終端 制造 | ||
【權利要求書】：
1.溝槽式肖特基的終端結構，其特征在于：包括外延層，形成于所述外延層的表層中的溝槽、填充在所述溝槽中的多晶硅、形成于所述溝槽與所述多晶硅之間的柵氧化層、形成于所述襯底表面的介質層和形成于所述介質層表面的正面金屬電極，所述溝槽為多個。
2.根據權利要求1所述的終端結構，其特征在于：所述溝槽的寬度小于3um。
3.根據權利要求1或2所述的終端結構，其特征在于：所述溝槽的深度為1-5um。
4.根據權利要求3所述的終端結構，其特征在于：所述溝槽的深度與所述溝槽式肖特基的原胞區的溝槽深度一致。
5.根據權利要求1-4任一所述的終端結構，其特征在于：所述介質層中還形成有若干個孔，所述孔位于所述多晶硅的上方，所述孔貫穿所述介質層的頂部與底部，所述孔中填充有正面金屬電極，所述正面金屬電極與所述多晶硅之間形成有勢壘金屬。
6.根據權利要求1-5任一所述的終端結構，其特征在于：還包括襯底，所述外延層形成于所述襯底表面。
7.根據權利要求1-5任一所述的終端結構，其特征在于：所述外延層為N型外延。
8.根據權利要求6所述的終端結構，其特征在于：所述襯底為N型襯底。
9.溝槽式肖特基，包括原胞區和終端區，其特征在于：所述終端區的結構為權利要求1-8任一所述的終端結構。
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