[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及制造該半導(dǎo)體裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710668355.1
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN107799500B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 確利和;深谷和秀;小清水亮
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/60
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有其中形成有第一MOS晶體管的第一區(qū)域和其中形成有第二MOS晶體管的第二區(qū)域，所述第一MOS晶體管和所述第二MOS晶體管彼此不同；

絕緣膜，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方，并且具有位于所述第一區(qū)域中的第一孔和位于所述第二區(qū)域中的第二孔；

第一阻擋金屬膜，形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面上；

第二阻擋金屬膜，形成在所述第二孔的內(nèi)側(cè)壁表面上；

第一導(dǎo)電膜，經(jīng)由所述第一阻擋金屬膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面上；

第二導(dǎo)電膜，經(jīng)由所述第一導(dǎo)電膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面上，使得在所述第二導(dǎo)電膜內(nèi)形成氣隙；

第三導(dǎo)電膜，嵌入在由位于所述第二孔中的所述第二阻擋金屬膜形成的空間中；以及

第四導(dǎo)電膜，形成在所述第三導(dǎo)電膜上，

其中，在橫截面視圖中，所述氣隙的一部分位于所述第一孔的內(nèi)部；

其中，第一MOS晶體管是功率MOS晶體管，

其中，第二MOS晶體管是用于形成邏輯元件的MOS晶體管，以及

其中，所述第一MOS晶體管具有對大電流的適應(yīng)性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，第一絕緣膜形成在所述半導(dǎo)體襯底上，

其中，第一布線形成在所述第一區(qū)域中的所述第一絕緣膜上，

其中，第二布線形成在所述第二區(qū)域中的所述第一絕緣膜上，

其中，第三阻擋金屬膜形成在所述第一布線上，以及

其中，第四阻擋金屬膜形成在所述第二布線上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述絕緣膜形成在所述第一絕緣膜上，

其中，所述第一阻擋金屬膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面和在所述第一孔中暴露的所述第三阻擋金屬膜的暴露表面中的每個上，以及

其中，所述第二阻擋金屬膜形成在所述第二孔的內(nèi)側(cè)壁表面和在所述第二孔中暴露的所述第四阻擋金屬膜的暴露表面中的每個上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第一導(dǎo)電膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面以及在所述第一孔中暴露的所述第三阻擋金屬膜的暴露表面中的每個上，其中所述第一導(dǎo)電膜經(jīng)由所述第一阻擋金屬膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面上，并且經(jīng)由所述第一阻擋金屬膜形成在所述第一孔中暴露的所述第三阻擋金屬膜的暴露表面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第二導(dǎo)電膜形成在所述第一導(dǎo)電膜上，使得在所述第二導(dǎo)電膜內(nèi)形成所述氣隙。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第二導(dǎo)電膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面和從所述第一導(dǎo)電膜暴露的所述第一阻擋金屬膜的暴露表面中的每個上使得在所述第二導(dǎo)電膜內(nèi)形成所述氣隙，其中所述第二導(dǎo)電膜經(jīng)由所述第一導(dǎo)電膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第一導(dǎo)電膜經(jīng)由所述第一阻擋金屬膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面上，使得在所述第一孔的外部不形成所述第一導(dǎo)電膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第一導(dǎo)電膜形成在所述第一孔的內(nèi)側(cè)壁表面上，使得由所述第一導(dǎo)電膜的內(nèi)表面限定的直徑在橫截面視圖中隨著向上延伸而連續(xù)增大。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第一阻擋金屬膜和所述第二阻擋金屬膜中的每個通過自下而上按順序?qū)盈B鈦和氮化鈦來形成，

其中，所述第一導(dǎo)電膜包含鎢、鈦、氮化鈦、鉭和鉬中的一種或多種，以及

其中，所述第二導(dǎo)電膜和所述第四導(dǎo)電膜中的每個由鋁制成。