[發明專利]顯示器件結構及具有該結構的柔性顯示器在審
| 申請號: | 201710652310.5 | 申請日: | 2017-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN107275351A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 曹中林;高山;李挺 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司11438 | 代理人: | 闞梓瑄,王衛忠 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 結構 具有 柔性 顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及半導體顯示技術領域,具體而言,涉及一種顯示器件結構及具有該結構的柔性顯示器。
背景技術
參考圖1和圖2,其分別示出一種現有柔性顯示器的絕緣層的結構示意圖和斷面圖。如圖1和圖2所示,現有柔性顯示器的絕緣層101由于存在大塊狀的設計,絕緣層101的大塊狀部分在彎曲時承受較大的應力,從而導致絕緣上層金屬線和下層金屬線102的絕緣區域容易發生大塊斷裂,進而導致絕緣層101的絕緣效果消失,產生顯示不良的問題。
發明內容
本發明的一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷,提供一種絕緣層不易發生斷裂的顯示器件結構。
本發明的另一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷,提供一種具有上述顯示器件結構的柔性顯示器。
為實現上述目的,本發明采用如下技術方案:
根據本發明的一個方面,提供一種顯示器件結構,包括絕緣層和設于其下方的下層金屬走線。其中,所述絕緣層的未對應所述下層金屬走線的部分形成有多個容置結構,多個所述容置結構的至少其中之一設有金屬柱。
根據本發明的其中一個實施方式,所述容置結構至少包括通孔,所述通孔形成于所述絕緣層且貫穿所述絕緣層的上下表面。
根據本發明的其中一個實施方式,所述通孔的橫截面呈圓形、橢圓形或正多邊形;和/或,所述通孔的縱截面呈倒梯形或矩形。
根據本發明的其中一個實施方式,所述金屬柱設于所述通孔時,所述金屬柱部分凸出于所述絕緣層的上表面。
根據本發明的其中一個實施方式,所述金屬柱的凸出于所述絕緣層上表面的部分的橫截面呈圓形、橢圓形或正多邊形。
根據本發明的其中一個實施方式,所述金屬柱的凸出于所述絕緣層上表面的部分的縱截面呈梯形或矩形。
根據本發明的其中一個實施方式,所述容置結構至少包括凹槽,所述凹槽形成于所述絕緣層的上表面或下表面。
根據本發明的其中一個實施方式,所述凹槽形成于所述絕緣層的下表面時,所述絕緣層的上表面的對應所述凹槽的位置形成凸起結構。
根據本發明的其中一個實施方式,所述金屬柱的材質與所述下層金屬走線的材質相同;或者,所述金屬柱的材質與所述絕緣層上方設置的上層金屬走線的材質相同。
根據本發明的另一個方面,提供一種柔性顯示器,其中,所述柔性顯示器包括上述實施方式所述的顯示器件結構。
由上述技術方案可知,本發明提出的柔性顯示器的優點和積極效果在于:
本發明提出的顯示器件結構及具有該結構的柔性顯示器,利用開設在絕緣層的多個容置結構分散了絕緣層所受的應力。并且,通過將金屬柱設置在容置結構中,進一步加強了結構強度。通過上述設計,本發明能夠使其絕緣層不會輕易斷裂,即使發生斷裂,斷裂也將集中在絕緣層開設有容置結構的部分,即避開了絕緣層的對應于金屬走線的位置,從而有效的保護了金屬走線的絕緣層,避免顯示不良的問題出現。
附圖說明
通過結合附圖考慮以下對本發明的優選實施方式的詳細說明,本發明的各種目標、特征和優點將變得更加顯而易見。附圖僅為本發明的示范性圖解,并非一定是按比例繪制。在附圖中,同樣的附圖標記始終表示相同或類似的部件。其中:
圖1是一種現有柔性顯示器的絕緣層的結構示意圖;
圖2是圖1示出的柔性顯示器的絕緣層的斷面圖;
圖3是根據一示例性實施方式示出的一種顯示器件結構的絕緣層的結構示意圖;
圖4是圖3示出的顯示器件結構的絕緣層的斷面圖;
圖5是根據另一示例性實施方式示出的一種顯示器件結構的絕緣層的結構示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
101.絕緣層;
102.下層金屬走線;
100.絕緣層;
110.通孔;
120.金屬柱;
130.下層金屬走線;
200.絕緣層;
210.凹槽;
220.金屬柱;
230.下層金屬走線。
具體實施方式
體現本發明特征與優點的典型實施例將在以下的說明中詳細敘述。應理解的是本發明能夠在不同的實施例上具有各種的變化,其皆不脫離本發明的范圍,且其中的說明及附圖在本質上是作說明之用,而非用以限制本發明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





