[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710637227.0
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN108074921B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 米克羅·坎托羅;李允逸;李炯錫;許然喆;金竝基;呂昌旼;尹承燦;李東勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 黃亮

1.一種半導體器件，包括：

襯底上的第一半導體圖案，所述第一半導體圖案摻雜有第一雜質；

所述第一半導體圖案上的第一溝道圖案，所述第一溝道圖案主要沿與所述襯底的上表面平行的第一方向延伸；

第二半導體圖案，分別接觸所述第一溝道圖案的上部邊緣表面，所述第二半導體圖案中的每一個摻雜有第二p型雜質；

第一柵極結構，包圍所述第一溝道圖案的側壁，所述第一柵極結構的上表面與所述第一溝道圖案的上表面實質上共面，并且所述第二半導體圖案接觸所述第一柵極結構的所述上表面；

所述襯底上的第三半導體圖案，摻雜有第三n型雜質；

所述第三半導體圖案上的第二溝道圖案，所述第二溝道圖案主要沿與所述襯底的所述上表面垂直的第二方向延伸；以及

第二柵極結構，包圍所述第二溝道圖案的側壁的至少一部分，

其中所述第一雜質和第二雜質具有彼此相反的導電類型。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一溝道圖案沒有摻雜雜質。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括沿與所述襯底的所述上表面實質上平行并與所述第一方向實質上垂直的第三方向設置的多個第一溝道圖案，所述多個第一溝道圖案中的每一個沿所述第一方向延伸，

其中所述第二半導體圖案分別接觸所述多個第一溝道圖案中的每一個沿第一方向的相對末端。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第二半導體圖案中的每一個沿所述第三方向延伸，并且共同接觸沿所述第三方向設置的所述多個第一溝道圖案的上表面。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括覆蓋所述第一柵極結構的至少一部分并且接觸所述第二半導體圖案中的每一個的下部側壁的蓋層，所述蓋層包括氮化物。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體圖案包括n型雜質，并且所述第二半導體圖案中的每一個包括摻雜有p型雜質的硅-鍺。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第三半導體圖案接觸所述第一溝道圖案的上表面并且包括摻雜有n型第三雜質的磷化硅。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括覆蓋所述第二半導體圖案的側壁并且接觸所述第三半導體圖案的側壁的側墻。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體圖案包括p型雜質，并且所述第二半導體圖案中的每一個包括摻雜有n型雜質的磷化硅。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一柵極結構包括：

具有高介電常數并且接觸所述第一溝道圖案的側壁的電介質圖案；以及

接觸所述電介質圖案的柵電極。