[發明專利]先進退火工藝中減少顆粒的設備和方法

有效

• 申請號: 201710619013.0
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN107579022B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 阿米科姆·薩德
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/268
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種處理具有退火區的基板的系統，所述系統包括：

電磁能量源，所述電磁能量源是可操作的以將所述基板的表面的多個退火區暴露于電磁能量的多個脈沖；

均勻器，所述均勻器用于調整所述電磁能量的脈沖的空間能量分布；

脈沖成形模塊，所述脈沖成形模塊被配置成調整所述脈沖的時間分布，其中所述多個脈沖的每一個包括多個區段，其中每一區段的形狀隨以下至少一者的變化而變化：退火區內所含的尺寸、熔化深度和材料；

孔構件，所述孔構件設置在所述電磁能量源下游，所述孔構件具有第一透明片，所述第一透明片設置在離所述孔構件的第一側預定距離處，其中所述孔構件具有形成于所述第一側上的圖案化的能量阻擋層；

設置在所述孔構件下游的成像模塊；和

設置在所述成像模塊下游的基板支撐件。

2.如權利要求1所述的系統，其中所述能量阻擋層對在200nm和2000nm之間的預選范圍的波長為不透明或反射的。

3.如權利要求1所述的系統，其中所述第一透明片被框架所支撐，所述框架安裝在所述孔構件的所述第一側上，且所述預定距離在2mm和20mm之間。

4.如權利要求1所述的系統，其中電磁能量的每一脈沖具有的能量小于使沉積在基板表面上的層的一部分熔化所需的能量，所述基板表面設置于所述基板支撐件上。

5.如權利要求4所述的系統，其中每一脈沖具有100mJ/cm²和10J/cm²的相同能量，并且每一脈沖以1納秒和100納秒之間的持續時間被輸送。

6.如權利要求1所述的系統，進一步包括：

第二透明片，設置在離所述孔構件的第二側預定距離處，其中所述第二透明片被第二框架所支撐，所述第二框架安裝在所述孔構件的所述第二側上。

7.一種處理基板的系統，所述系統包括：

電磁能量源，所述電磁能量源是可操作的以將所述基板的表面的多個退火區暴露于電磁能量的多個脈沖；

均勻器，所述均勻器用于調整所述電磁能量的脈沖的空間能量分布；

脈沖成形模塊，所述脈沖成形模塊被配置成調整所述脈沖的時間分布，其中所述多個脈沖的每一個包括多個區段，其中每一區段的形狀隨以下至少一者的變化而變化：退火區內所含的尺寸、熔化深度和材料；和

透明板，所述透明板設置在所述電磁能量源下游，所述透明板耦接至第一透明片，所述第一透明片設置在離所述透明板的第一表面一定距離處且與所述透明板平行，其中所述透明板涂布有能量阻擋層，所述能量阻擋層具有圖案開口，并且所述第一透明片不與所述能量阻擋層實體接觸。

8.如權利要求7所述的系統，所述第一透明片被框架所支撐，所述框架安裝在所述透明板的所述第一表面上，且所述距離在2mm和20mm之間。

9.如權利要求7所述的系統，其中所述能量阻擋層對在200nm和2000nm之間的預選范圍的波長為不透明或反射的。

10.如權利要求7所述的系統，其中每一脈沖具有100mJ/cm²至10J/cm²的能量，并且每一脈沖以1納秒和100納秒之間的持續時間被輸送。