[發明專利]片麻巖區圓形硐室光面爆破及巖爆分步解除方法有效
| 申請號: | 201710615467.0 | 申請日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN107367204B | 公開(公告)日: | 2019-03-05 |
| 發明(設計)人: | 彭鵬;單治鋼;李華 | 申請(專利權)人: | 中國電建集團華東勘測設計研究院有限公司 |
| 主分類號: | F42D1/00 | 分類號: | F42D1/00;F42D3/04 |
| 代理公司: | 杭州九洲專利事務所有限公司 33101 | 代理人: | 韓小燕 |
| 地址: | 310014 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 片麻巖 圓形 光面 爆破 分步 解除 方法 | ||
本發明涉及一種片麻巖區圓形硐室光面爆破及巖爆分步解除方法。本發明的目的是旨在解決深埋片麻巖隧洞(隧道、巷道)掘進過程中的光面爆破控制及巖爆問題。本發明型的技術方案是:在圓形硐室的開挖掌子面上、掌子面中心附近鉆設若干爆破孔,爆破孔分布于以掌子面中心為原點的圓上及原點上,爆破孔孔深7m,全部深度范圍裝藥;在圓形硐室的開挖掌子面上靠近其邊界處鉆設有若干光面爆破控制孔,光面爆破控制孔均勻分布于以掌子面中心為原點的圓上,光面爆破控制孔孔深10m,光面爆破控制孔內距離掌子面起0~1m、2~3m、4~5m和6~7m處裝藥,裝藥段長均為1m,爆破強度為0.04kg/T。本發明適用于水利水電工程、交通、礦山等地下工程。
技術領域
本發明涉及一種片麻巖區圓形硐室光面爆破及巖爆分步解除方法。適用于水利水電工程、交通、礦山等地下工程。
背景技術
巖爆是地下工程開挖過程中,巖體中積累的勢能或應變能的突然釋放導致的圍巖破壞,可導致人員傷亡、工作面或設備發生破壞,其基本特性是突然和劇烈。而光面爆破顧名思義就是施工對爆破方式嚴格要求和控制,使爆破后的硐室盡可能的避免開挖面起伏,以增加后期工作量。尤其是片麻巖巖體本身的片理性及施工質量、成本影響,有時需要同時顧及到這兩個方面,尤其是圓形硐室的片麻巖區,容易受到爆破擾動,一方面引起巖爆,另一方面可使爆破后的片麻巖大片脫落,造成坍塌,開挖面變形,嚴重影響甚至摧毀工程,同時也增加了后期的成本。這種片麻巖巖爆發生時,震動強烈,持續時間長,破壞范圍大,成為控制工程施工安全、掘進進度、乃至成敗的關鍵因素。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:針對上述存在的問題,提供一種安全可靠、成本較低、施工進度快的片麻巖區圓形硐室光面爆破及巖爆分步解除方法,以解決深埋片麻巖隧洞(隧道、巷道)掘進過程中的光面爆破控制及巖爆問題。
本發明所采用的技術方案是:一種片麻巖區圓形硐室光面爆破及巖爆分步解除方法,其特征在于:
在圓形硐室的開挖掌子面上、掌子面中心附近鉆設若干爆破孔,爆破孔分布于以掌子面中心為原點的圓上及原點上,爆破孔孔深7m,全部深度范圍裝藥;
在圓形硐室的開挖掌子面上靠近其邊界處鉆設有若干光面爆破控制孔,光面爆破控制孔均勻分布于以掌子面中心為原點的圓上,光面爆破控制孔孔深10m,光面爆破控制孔內距離掌子面起0~1m、2~3m、4~5m和6~7m處裝藥,裝藥段長均為1m,爆破強度為0.04kg/T。
所述爆破孔有7個且分為爆破孔中孔、爆破孔中上孔和爆破孔中下孔;
其中爆破孔中孔有3個,包括位于掌子面中心的爆破孔,以及2個與掌子面中心爆破孔位于同一水平線上的爆破孔,爆破孔中孔水平布置;
所述爆破孔中上孔有2個,分布于爆破孔中孔上方,2個爆破孔中上孔位于同一水平線上,爆破孔中上孔指向硐室中心向下傾斜2~3度;
所述爆破孔中下孔有2個,分布于爆破孔中孔下方,2個爆破孔中下孔位于同一水平線上,爆破孔中下孔指向硐室中心向上傾斜2~3度。
所述光面爆破控制孔距離開挖掌子面的邊界0.3m。
所述光面爆破控制孔有8個。
所述爆破孔和光面爆破控制孔的起爆順序如下:
首先起爆三個爆破孔中孔,間隔5秒后接著起爆兩個爆破孔中上孔,間隔10秒后然后起爆兩個爆破孔中下孔,間隔5秒后起爆光面爆破控制孔;所述光面爆破控制孔由內向外逐段進行爆破,間隔0.5秒。
本發明的有益效果是:本發明在應力集中區布置爆破孔、采用爆破方式改變巖體性狀實現消除或降低能量積累程度的效果,以消除或降低巖爆動力源的方式達到巖爆控制目的;本發明合理布置光面爆破控制孔的位置及炸藥的位置、起爆順序等,減少對圍巖的穩定性造成擾動。
附圖說明
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