[發明專利]一種上電信號產生電路

有效

• 申請號: 201710614884.3
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN109300492B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 權彞振;倪昊;劉曉艷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

本發明提供一種上電信號產生電路，包括：第一電壓生成單元，所述第一電壓生成單元的輸入端接入供電電壓，第一電壓生成單元用于根據所述供電電壓生成第一電壓信號，所述第一電壓生成單元的輸出端連接至泄放節點；輸出單元，所述輸出單元的輸入端連接至所述泄放節點，所述輸出單元的輸出端輸出所述上電信號，當所述泄放節點的電壓大于第一閾值時，所述上電信號翻轉；泄放單元，所述泄放單元適于在所述上電信號翻轉之前，對所述泄放節點進行電荷泄放。本發明中的上電信號產生電路可以更準確的產生上電信號。

技術領域

本發明涉及電路領域，尤其涉及一種上電信號產生電路。

背景技術

在電路領域，通常需要在上電后為工作電路提供上電信號，工作電路可以根據上電信號的觸發確定其工作狀態，例如進行復位等。工作電路可以是很多種例如可以是非易失存儲器(NVM，NonVolatile Memory)電路。

若上電信號的產生不夠準確，則會導致工作電路不能正常工作。

發明內容

本發明解決的技術問題是更加準確的產生上電信號。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種上電信號產生電路，包括：第一電壓生成單元，所述第一電壓生成單元的輸入端接入供電電壓，第一電壓生成單元用于根據所述供電電壓生成第一電壓信號，所述第一電壓生成單元的輸出端連接至泄放節點；輸出單元，所述輸出單元的輸入端連接至所述泄放節點，所述輸出單元的輸出端輸出所述上電信號，當所述泄放節點的電壓大于第一閾值時，所述上電信號翻轉；泄放單元，所述泄放單元適于在所述上電信號翻轉之前，對所述泄放節點進行電荷泄放。

可選的，所述泄放單元包括泄放控制單元和泄放通路，所述泄放控制單元適于根據所述輸出單元提供的泄放反饋信號生成泄放控制信號，所述泄放通路適于根據所述泄放控制信號的控制建立所述泄放節點與地之間的通路，以進行所述電荷泄放。

可選的，所述泄放反饋信號包括所述上電信號以及所述上電信號的反相信號，所述泄放控制單元包括鎖存器，所述鎖存器用于根據所述上電信號以及所述上電信號的反相信號輸出所述泄放控制信號。

可選的，所述泄放控制單元還包括第二通路和第三通路，所述第二通路受所述上電信號的反相信號的控制，當所述反相信號大于第二閾值時向所述鎖存器的正相輸入端輸入低電平；所述第三通路受上電信號的控制，當所述上電信號大于第三閾值時，向所述鎖存器的反相輸入端輸入低電平。

可選的，所述鎖存器包括第一反相器和第二反相器，所述第二通路包括第一NMOS管，所述第三通路包括第二NMOS管；所述第一NMOS管的柵極接入所述反相信號，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的漏極連接至所述第一反相器的輸入端；所述第一反相器的輸出端連接至所述第二NMOS管的源極；所述第二NMOS管的柵極連接至所述上電信號，所述第二NMOS管的漏極接地；所述第二反相器的輸入端連接至所述第一反相器的輸出端，所述第二反相器的輸出端連接至所述第一反相器的輸入端，所述第二反相器的輸出端輸出所述泄放控制信號。

可選的，所述泄放通路包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的源極接地，所述第三NMOS管的漏極連接至所述泄放節點，所述第三NMOS管的柵極接入所述泄放控制信號。

可選的，所述第三NMOS管為長通道NMOS管。

可選的，所述第一電壓生成單元包括：第一PMOS管以及電阻；所述第一PMOS管的源極接入所述供電電壓，所述第一PMOS管的柵極接地，所述第一PMOS管的漏極連接至所述泄放節點；所述電阻的其中一端連接至所述泄放節點，所述電阻的另一端接地。