[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710610251.5 | 申請日： | 2017-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN108022931B | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金瑩做;金錫九 | 申請（專利權(quán)）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11551 | 分類號： | H01L27/11551;H01L27/11526;H01L27/11578;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲 器件 | ||
半導(dǎo)體存儲器件。該半導(dǎo)體存儲器件包括：單元陣列區(qū)域，所述單元陣列區(qū)域形成在基板上；字線接觸區(qū)域；以及頁面緩沖區(qū)域，所述頁面緩沖區(qū)域經(jīng)由多條位線聯(lián)接到所述單元陣列區(qū)域，其中，所述多條位線中的至少一條具有朝向所述字線接觸區(qū)域的彎曲結(jié)構(gòu)。根據(jù)實施方式，可減少由自然的單元插頭彎曲現(xiàn)象引起的單元插頭與接觸插頭之間的錯位，從而提高半導(dǎo)體存儲器件的操作可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的各實施方式總體上涉及半導(dǎo)體存儲器件，更具體地，涉及能夠提高操作可靠性的半導(dǎo)體存儲器件。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體存儲器件可包括能夠存儲數(shù)據(jù)的多個存儲單元。
已經(jīng)提出包括三維布置的存儲單元的三維半導(dǎo)體存儲器件，以用來實現(xiàn)更高的集成度。
三維半導(dǎo)體存儲器件可包括彼此交替堆疊的層間絕緣層和字線，以及形成在穿過它們的溝道孔中的溝道層。存儲單元可沿溝道層堆疊。每個溝道層可聯(lián)接在位線與源極層之間。
然而，當(dāng)制造具有垂直堆疊結(jié)構(gòu)的三維半導(dǎo)體存儲器件時，在溝道層與位線之間可能發(fā)生錯位，導(dǎo)致位線漏電流，這會導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲器件操作故障。
發(fā)明內(nèi)容
各種實施方式針對一種具有改進的操作可靠性的半導(dǎo)體存儲器件。
根據(jù)實施方式，一種半導(dǎo)體存儲器件可包括：單元陣列區(qū)域，所述單元陣列區(qū)域形成在基板上；字線接觸區(qū)域；以及頁面緩沖區(qū)域，所述頁面緩沖區(qū)域經(jīng)由多條位線聯(lián)接到所述單元陣列區(qū)域，其中，所述多條位線中的至少一條具有朝向所述字線接觸區(qū)域的彎曲結(jié)構(gòu)。
根據(jù)實施方式，一種半導(dǎo)體存儲器件可包括：單元陣列區(qū)域，所述單元陣列區(qū)域形成在基板上；字線接觸區(qū)域，所述字線接觸區(qū)域從堆疊在所述單元陣列區(qū)域上的字線延伸；以及頁面緩沖區(qū)域，所述頁面緩沖區(qū)域經(jīng)由多條位線聯(lián)接到所述單元陣列區(qū)域，其中，所述單元陣列區(qū)域包括將所述多條位線聯(lián)接到所述單元陣列區(qū)域中的多個單元插頭的多個第一接觸插頭，其中，所述頁面緩沖區(qū)域包括將所述多條位線聯(lián)接到所述頁面緩沖區(qū)域中的多個晶體管的多個第二接觸插頭，并且其中，所述多個第一接觸插頭中的至少一個相對于所述多個第二接觸插頭向所述字線接觸區(qū)域偏移。
根據(jù)實施方式，一種半導(dǎo)體存儲器件可包括：多個單元插頭，所述多個單元插頭從基板延伸；多個導(dǎo)電層，所述多個導(dǎo)電層圍繞所述多個單元插頭，所述多個導(dǎo)電層堆疊在所述基板上并在第一方向上延伸；以及多條位線，所述多條位線聯(lián)接到所述多個單元插頭并且在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，所述多條位線中的至少一條具有在所述第一方向上的彎曲結(jié)構(gòu)。
附圖說明
通過參照附圖的以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它特征以及優(yōu)點對于本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員而言將變得更加明顯，在附圖中：
圖1是例示根據(jù)本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體存儲器件的圖；
圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的半導(dǎo)體存儲器件的圖；
圖3是圖1的部分C的布局圖；
圖4是圖2的部分C的布局圖；
圖5是沿圖1的線A-A'截取的截面圖；
圖6是沿圖2的線A-A'截取的截面圖；
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的接觸插頭和位線的位置以及根據(jù)不考慮單元插頭彎曲趨勢的現(xiàn)有技術(shù)的位置的圖；
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的接觸插頭和位線的位置以及根據(jù)不考慮單元插頭彎曲趨勢的現(xiàn)有技術(shù)的位置的圖；
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在單元陣列區(qū)域上方的接觸插頭和在頁面緩沖區(qū)域上方的接觸插頭的位置的圖；
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的在單元陣列區(qū)域上方的接觸插頭和在頁面緩沖區(qū)域上方的接觸插頭的位置的圖；
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
