[發明專利]鉍氧氯單晶制備方法在審
| 申請號： | 201710605079.4 | 申請日： | 2017-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN107904660A | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發明（設計）人： | 郝維昌;崔丹丹 | 申請（專利權）人： | 北京航空航天大學 |
| 主分類號： | C30B29/10 | 分類號： | C30B29/10;C30B7/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100191*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鉍氧氯單晶 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鉍氧氯單晶制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一、配置鉍氧氯溶液；
步驟二、加入濃鹽酸；
步驟三、放入反應釜利用水熱法合成鉍氧氯單晶。
2.如權利要求1所述的一種鉍氧氯單晶制備方法，其特征在于：所述步驟一種，使用五水合硝酸鉍作為鉍源，溶于去離子水/醇中，鉍氧氯溶液濃度為0.0625mol/L。
3.如權利要求1所述的一種鉍氧氯單晶制備方法，其特征在于：向配置好的鉍氧氯溶液中滴加濃度為36％的濃鹽酸，直至溶液中濃度達到0.025mol/L，攪拌至溶液澄清。
4.如權利要求1所述的一種鉍氧氯單晶制備方法，其特征在于：所述水熱時間至少為一小時，水熱溫度為180～200℃。
5.如權利要求1所述的一種鉍氧氯單晶制備方法，其特征在于：所述步驟三中，水熱法后將高壓反應釜冷卻到室溫,收集反應產物、清洗、并干燥得到氯氧化鉍單晶。
6.如權利要求1所述的一種鉍氧氯單晶制備方法，其特征在于：可以通過水熱時間控制鉍氧氯單晶的大小與厚度。
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