[發(fā)明專利]雙曲超材料復(fù)合光柵增強(qiáng)的高頻量子點單光子源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710600355.8 | 申請日: | 2017-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN107452844B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳飛良;李沫;張暉;黃鋒;李倩;張健 | 申請(專利權(quán))人: | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號: | H01L33/06 | 分類號: | H01L33/06;H01L33/24 |
| 代理公司: | 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 蔣斯琪 |
| 地址: | 621999 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙曲超 材料 復(fù)合 光柵 增強(qiáng) 高頻 量子 光子 | ||
本發(fā)明公開了雙曲超材料復(fù)合光柵增強(qiáng)的高頻量子點單光子源,包括襯底、雙曲超材料和量子點,雙曲超材料的表面或內(nèi)部有光柵微結(jié)構(gòu);雙曲超材料是由介質(zhì)薄膜和金屬薄膜/介質(zhì)薄膜和類金屬薄膜交替形成一維周期性結(jié)構(gòu);量子點置于一維周期性結(jié)構(gòu)內(nèi)部或在雙曲超材料的近場;本發(fā)明利用雙曲超材料實現(xiàn)量子點寬帶自發(fā)輻射增強(qiáng),同時結(jié)合光柵的定向耦合輸出特性提高光出射效率,大大提高量子點單光子源的光子產(chǎn)生速率和收集利用效率,可實現(xiàn)GHz以上的高頻、高亮度、定向發(fā)射的量子點單光子源;同時兼容光泵浦和電泵浦兩種激發(fā)方式,并適用于從紫外到紅外各個波段;可廣泛應(yīng)用于量子信息、量子計算、量子成像、量子認(rèn)證、量子精密測量相關(guān)領(lǐng)域。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及單光子源、超材料、微納光子領(lǐng)域,具體是指一種雙曲超材料復(fù)合光柵增強(qiáng)的高頻量子點單光子源。
背景技術(shù)
單光子源不僅在量子信息處理、量子保密通訊、量子雷達(dá)和量子光學(xué)計算中舉足輕重,在微量吸收測量、超高靈敏磁場測量、生物熒光標(biāo)記與成像等領(lǐng)域也有重要應(yīng)用價值。在眾多單光子發(fā)射的產(chǎn)生方案中,基于量子點的單光子源相比其它單光子源在各方面都有著很大的優(yōu)越性,如具有譜線寬度窄、振子強(qiáng)度高、不會發(fā)生光褪色或閃爍、時間抖動小、重復(fù)頻率高、發(fā)射波段可覆蓋從紫外到紅外的各個波段、適于電泵浦等。通常,量子點發(fā)射單光子都是沒有方向性的,而且其在自由空間中的自發(fā)輻射效率低,造成重復(fù)頻率低。尤其對于Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料,有著強(qiáng)的自發(fā)極化和壓電極化場,導(dǎo)致電子-空穴波函數(shù)分離(即量子限制斯塔克效應(yīng)),使其自發(fā)輻射過程受到抑制,重復(fù)頻率受到限制。而在大部分的量子技術(shù)應(yīng)用中,都要求單光子源必須具備GHz以上的高重復(fù)頻率。
為了提高單光子源的重復(fù)頻率和發(fā)射效率,獲得高品質(zhì)單光子源,可以將量子點放在微腔中,利用Purcell效應(yīng),即微腔中量子發(fā)射體的自發(fā)輻射較處于自由空間中的自發(fā)輻射可以被極大地加強(qiáng),從而利用微腔可以提高單光子發(fā)射的量子效率。對于電泵浦器件而言,微腔的存在可以極大地降低電注入的工作電壓,從而提高器件的穩(wěn)定性。通常是采用DBR微柱腔或光子晶體微腔或來獲得高品質(zhì)單光子源。然而,DBR微柱腔雖可以在垂直方向限制光,產(chǎn)生高Purcell因子,但是在平面方向則僅靠微柱側(cè)壁界面反射限制光,會產(chǎn)生明顯的光泄漏損失,形成非共振波長的光子發(fā)射通道,導(dǎo)致單光子源性能惡化;光子晶體微腔則可在二維乃至三維方向?qū)庾舆M(jìn)行限制,能進(jìn)一步改善量子點發(fā)光性能。例如公開號為CN1638218A,公開日為2005年7月13日的中國發(fā)明專利文獻(xiàn),公開了一種用于單光子源的單量子點嵌埋光學(xué)微腔及制備方法,光學(xué)微腔包括:襯底,與襯底牢固結(jié)合的光學(xué)微腔,嵌埋在光學(xué)微腔中的單量子點。所說的光學(xué)微腔由光學(xué)膜系構(gòu)成,其膜系的帶通峰位與量子點的熒光峰位一致。其制備方法是將量子點的生長過程與光學(xué)微腔的制備過程分離開來,使其不再直接關(guān)聯(lián),從而可實現(xiàn)兩個制備過程之間不再相互制約。但是,光子晶體微腔加工復(fù)雜,微腔和量子點位置對準(zhǔn)難度極大,而且在光子晶體結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)電泵浦單光子源極為困難,電極也會影響微腔的品質(zhì)因子。其它類型的微腔像微盤以及金屬等離激元微腔等也面臨類似的問題。這類微腔面臨的更大問題是,無論是介質(zhì)微腔還是金屬等離激元微腔通常均是基于共振特性,所產(chǎn)生的自發(fā)輻射增強(qiáng)都是在很窄的光譜范圍內(nèi),要求量子點發(fā)光頻率與腔共振模式相匹配,這對工藝技術(shù)要求極為苛刻,而且不利于寬波段上的發(fā)射波長調(diào)控。目前實驗上還無法很好地在腔模最強(qiáng)處生長單量子點,觀察到的量子點-微腔系統(tǒng)還不能最大程度地發(fā)揮腔的耦合作用。
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