[發明專利]一種外置高端存儲卡

在審

• 申請號: 201710596838.5
• 申請日: 2017-07-20
• 公開（公告）號: CN107577419A
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 楊明濤;毛曉彤;張磊
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司37205
• 代理人: 張亮

1.一種外置高端存儲卡，其特征在于，包括存儲板卡本體，存儲板卡上設有Raid控制器和外置式連接器接口，外置式連接器接口連接有外置式連接器；

所述Raid控制器連接有DDR4緩存陣列、PCIE主機接口、外置式連接器、Firmware保存單元、數據保護單元、時鐘單元和供電單元；

所述數據保護單元與供電單元連接；

外置式連接器與磁盤柜內的磁盤連接。

2.根據權利要求1所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于，DDR4緩存陣列和Raid控制器通過DDR4高速數據總線連接；

外置式連接器接口通過高速差分信號線與Raid控制器連接。

3.根據權利要求2所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于，所述Firmware保存單元包括FLASH電路模塊，所述FLASH電路模塊通過QSPI總線接口與Raid控制器連接；

數據保護單元和Raid控制器通過FLASH接口相連；所述數據保護單元的核心為NAND FLASH電路模塊。

4.根據權利要求3所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于，所述NAND FLASH電路模塊設有超級電容接口；所述NAND FLASH電路模塊通過超級電容接口連接有超級電容。

5.根據權利要求3或4所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于，所述時鐘單元通過石英晶體或時鐘振蕩芯片產生存儲板卡所需的100MHz差分時鐘源。

6.根據權利要求1所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于， PCIE主機接口為PCIE金手指接口；

所述供電單元，由多個電源芯片電路組成，將PCIE金手指接口傳輸過來的電壓通過電源芯片轉換為存儲板卡所需電壓。

7.根據權利要求6所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于，所述Raid控制器為型號為SAS3508的ROC芯片。

8.根據權利要求7所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于， 所述外置式連接器包括外置式MiniSASHD、OCUlink、Slimline接口形態的高速連接器；所述外置式連接器數量為兩個，分別為第一外置式連接器和第二外置式連接器。

9.根據權利要求8所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于，所述存儲板卡設有第一側、第二側、第三側和第四側；

PCIE金手指接口設置在存儲板卡的第四側；所述第一外置連接器和第二外置連接器均設置在存儲板卡的第一側。

10.根據權利要求9所述的一種外置高端存儲卡，其特征在于，存儲板卡支持通過Expander板卡擴展支持240個SAS和/或SATA磁盤；

存儲板卡通過PCIE Switch板卡擴展支持24個x4帶寬NVME磁盤。