[發(fā)明專利]磁性材料及使用磁性材料的用于發(fā)送數(shù)據(jù)的裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710579949.5
• 申請日: 2017-07-17
• 公開（公告）號: CN107665767A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張宰赫;金熙勝;李炫姃;元載善;趙中英;宋榮換;盧永昇
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01F38/14
• 分類號: H01F38/14;H01F27/24;H01F1/147;H04B5/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 包國菊,劉奕晴

本申請要求于2016年7月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0097346號以及于2016年10月31日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0143452號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國專利申請的公開內(nèi)容出于所有目的通過引用全部被包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種磁性材料和使用磁性材料的用于發(fā)送數(shù)據(jù)的裝置。

背景技術(shù)

無線通信已被用于各種目的。近來，已經(jīng)開發(fā)了用于將數(shù)據(jù)無線地發(fā)送到通信目標(biāo)的范圍的各種類型的技術(shù)。技術(shù)包括無線通信線圈，而目標(biāo)包括諸如智能手機的移動電子設(shè)備。然而，在如上所述的用于無線地發(fā)送數(shù)據(jù)的技術(shù)的情況下，發(fā)送數(shù)據(jù)所消耗的電力可與將要發(fā)送的目標(biāo)數(shù)據(jù)的量成比例地增大。在可利用的電量有限的移動電子設(shè)備環(huán)境中，這樣的電力消耗成為重要問題。因此，近來已尋求在移動電子設(shè)備環(huán)境中以低電力無線地發(fā)送數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容

提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡化形式介紹構(gòu)思的選擇，以下在具體實施方式中進一步描述所述構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容并不意在確定所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

根據(jù)本公開的一方面，一種用于發(fā)送數(shù)據(jù)的裝置包括：發(fā)送線圈，被配置成接收和發(fā)送數(shù)據(jù)信號并由所述數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生磁場。所述裝置還包括設(shè)置在所述發(fā)送線圈的一個表面上的磁性板。所述磁性板由使得所述磁性板在第一方向上的剩余磁通密度與飽和磁通密度的比大于所述磁性板在與所述第一方向不同的第二方向上的剩余磁通密度與飽和磁通密度的比的材料形成。所述第一方向?qū)?yīng)于所述磁性板中的磁場的方向。

所述裝置的數(shù)據(jù)信號可包括從第一狀態(tài)切換到第二狀態(tài)或第三狀態(tài)并隨后從所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)切換到所述第一狀態(tài)的脈沖。對于至少一部分脈沖而言從所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)切換到所述第一狀態(tài)所需要的第二時間比對于所述至少一部分脈沖而言從所述第一狀態(tài)切換到所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)所需要的第一時間長。所述裝置的數(shù)據(jù)信號可以為電壓信號，其中，所述第一狀態(tài)為0V的狀態(tài)，所述第二狀態(tài)為正峰值電壓的狀態(tài)，并且所述第三狀態(tài)為負峰值電壓的狀態(tài)。

在所述脈沖從所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)切換到所述第一狀態(tài)的情況下，所述裝置的數(shù)據(jù)信號可包括在至少一些區(qū)段中隨時間以對數(shù)方式變化的脈沖。在所述脈沖從所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)切換到所述第一狀態(tài)的情況下，所述裝置的數(shù)據(jù)信號可包括在至少一些區(qū)段中隨時間以指數(shù)方式變化的脈沖。在所述脈沖從所述第一狀態(tài)切換到所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)的情況下，所述裝置的數(shù)據(jù)信號可包括在至少一些區(qū)段中隨時間以階躍方式變化的脈沖。在所述脈沖從所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)切換到所述第一狀態(tài)的情況下，所述數(shù)據(jù)信號可包括在至少一些區(qū)段中隨時間線性地變化的脈沖。

所述裝置可滿足表達式1A/m≤Hc≤1×10⁴A/m，其中，Hc為所述磁性板的BH曲線中的磁場強度。所述磁性板在2千赫茲(KHz)下可具有10至10⁵的磁導(dǎo)率。

所述磁性板可由Fe-Si-B基非晶金屬、Fe-Si-B-Nb-Cu基納米晶金屬和Fe-Ni-M-T基坡莫合金金屬中的至少一種形成。所述磁性板可使用金屬帶形成，所述金屬帶通過在所述第一方向上將磁場施加到金屬帶而進行退火。所述金屬帶可由Fe-Si-B基非晶金屬、Fe-Si-B-Nb-Cu基納米晶金屬和Fe-Ni-M-T基坡莫合金金屬中的至少一種形成(其中，M表示金屬或類金屬，T表示過渡金屬)。

所述磁性板在所述第一方向上的所述剩余磁通密度與所述飽和磁通密度的比可大于1:2。所述磁性板在所述第二方向上的所述剩余磁通密度與所述飽和磁通密度的比可以為1:2或更小。

根據(jù)本公開的另一方面，磁性材料可用在用于發(fā)送數(shù)據(jù)的裝置中，所述磁性材料可產(chǎn)生磁場以無線地發(fā)送數(shù)據(jù)。所述磁性材料在第一方向上的剩余磁通密度與飽和磁通密度的比大于所述磁性材料在與所述第一方向不同的第二方向上的剩余磁通密度與飽和磁通密度的比。所述第一方向?qū)?yīng)于所述磁性材料中的磁場的方向。

所述磁性材料在所述磁性材料的所述第一方向上的所述剩余磁通密度與所述飽和磁通密度的比可大于1:2。所述磁性材料可滿足表達式1A/m≤Hc≤1×10⁴A/m，其中，Hc表示所述磁性材料的BH曲線中的磁場強度。所述磁性材料在2千赫茲(KHz)下可具有10至10⁵的磁導(dǎo)率。