[發(fā)明專利]有機鋁、鎵源混溶式制備鋁鎵酸鉍薄膜的裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710579305.6 | 申請日: | 2015-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN107460452A | 公開(公告)日: | 2017-12-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 尹海宏;宋長青;王志亮 | 申請(專利權)人: | 南通大學 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司: | 南京同澤專利事務所(特殊普通合伙)32245 | 代理人: | 蔡晶晶 |
| 地址: | 226019 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 鎵源混溶式 制備 鋁鎵酸鉍 薄膜 裝置 | ||
1.一種用于制備Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法的裝置,其特征在于:
裝置包括但不限于:真空反應腔、真空計、真空泵、有機鉍源容器1、有機鉍源管路手動閥K1、有機鉍源管路自動閥AK1、有機鉍源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC1、有機鋁鎵源容器2、有機鋁鎵源管路手動閥K2、有機鋁鎵源管路自動閥AK2、有機鋁鎵源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC2、氧前驅(qū)體源容器3、氧前驅(qū)體管路手動閥K3、氧前驅(qū)體管路自動閥AK3、氧前驅(qū)體載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC3、惰性氣體容器4、惰性氣體管路手動閥K4、真空泵進氣口自動閥門AK4、設備控制器,真空反應腔中設有電加熱器和溫度傳感器;有機鉍源容器1、有機鋁鎵源容器2、氧前驅(qū)體源容器3的容器均設有電加熱器和半導體制冷器;
有機鋁鎵源容器2用于盛放有機鋁源、有機鎵源混合溶解于有機溶劑中得到的溶液;
有機鉍源容器1的出口通過氣體管路依次連接到有機鉍源管路手動閥K1、有機鉍源管路自動閥AK1、真空反應腔,有機鋁鎵源容器2的出口通過氣體管路依次連接到有機鋁鎵源管路手動閥K2、有機鋁鎵源管路自動閥AK2、真空反應腔,氧前驅(qū)體源容器3的出口通過氣體管路依次連接到氧前驅(qū)體管路手動閥K3、氧前驅(qū)體管路自動閥AK3、真空反應腔,惰性氣體容器4的出口通過氣體管路連接到惰性氣體管路手動閥K4,再通過分支管路分別連接到有機鉍源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC1、有機鋁鎵源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC2、氧前驅(qū)體載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC3,有機鉍源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC1的出口通過三通連接件連接在有機鉍源管路自動閥AK1與真空反應腔之間的氣體管路上,有機鋁鎵源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC2的出口通過三通連接件連接在有機鋁鎵源管路自動閥AK2與真空反應腔之間的氣體管路上,氧前驅(qū)體載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC3的出口通過三通連接件連接在有機鉍源管路自動閥AK3與真空反應腔之間的氣體管路上,真空反應腔的出口通過管路依次連接到真空泵進氣口自動閥門AK4、真空泵的進氣口;真空腔中設有真空計;
有機鉍源管路手動閥K1、有機鋁鎵源管路手動閥K2、氧前驅(qū)體管路手動閥K3、惰性氣體管路手動閥K4均由操作人員手動打開,不受控制器所控制;
真空計、有機鉍源管路自動閥AK1、有機鉍源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC1、有機鋁鎵源管路自動閥AK2、有機鋁鎵源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC2、氧前驅(qū)體源容器3、氧前驅(qū)體管路自動閥AK3、氧前驅(qū)體載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC3、真空反應腔、真空泵、真空泵進氣口自動閥門AK4、真空反應腔中的電加熱器、溫度傳感器以及所述有機鉍源容器1、有機鋁鎵源容器2、氧前驅(qū)體源容器3的電加熱器和半導體制冷器均通過電纜連接到設備控制器均通過電纜連接到設備控制器,由設備控制器集中控制各自的工作狀態(tài);
分別以N、B、O、G來代表惰性氣體脈沖、有機鉍源氣體脈沖、氧前驅(qū)體氣體脈沖以及有機鋁鎵源氣體脈沖,則:
脈沖N由如下動作實現(xiàn):
由設備控制器控制使有機鉍源管路自動閥AK1、有機鋁鎵源管路自動閥AK2、氧前驅(qū)體管路自動閥AK3均處于關閉狀態(tài),由設備控制器控制有機鉍源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC1、有機鋁鎵源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC2、氧前驅(qū)體載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC3,使得各氣體管路中惰性氣體按照設定值通入真空反應腔;
脈沖B由如下動作實現(xiàn):
由設備控制器控制使有機鉍源管路自動閥AK1處于打開狀態(tài),有機鋁鎵源管路自動閥AK2、氧前驅(qū)體管路自動閥AK3均處于關閉狀態(tài),由設備控制器控制有機鉍源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC1、有機鋁鎵源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC2、氧前驅(qū)體載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC3,使得各氣體管路中氣體按照設定值通入真空反應腔;
脈沖O由如下動作實現(xiàn):
由設備控制器控制使氧前驅(qū)體管路自動閥AK3處于打開狀態(tài),有機鉍源管路自動閥AK1、有機鋁鎵源管路自動閥AK2均處于關閉狀態(tài),由設備控制器控制有機鉍源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC1、有機鋁鎵源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC2、氧前驅(qū)體載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC3,使得各氣體管路中氣體按照設定值通入真空反應腔;
脈沖G由如下動作實現(xiàn):
由設備控制器控制使有機鋁鎵源管路自動閥AK2處于打開狀態(tài),有機鉍源管路自動閥AK1、氧前驅(qū)體管路自動閥AK3均處于關閉狀態(tài),由設備控制器控制有機鉍源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC1、有機鋁鎵源載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC2、氧前驅(qū)體載氣管路質(zhì)量流量控制器MFC3,使得各氣體管路中氣體按照設定值通入真空反應腔。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





