[發明專利]基于碘鉛銫甲脒薄膜的寬波帶光電探測器及其制備方法有效
| 申請號: | 201710575821.1 | 申請日: | 2017-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN107316943B | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發明(設計)人: | 梁鳳霞;王九鎮;梁林;童小偉;王迪;羅林保 | 申請(專利權)人: | 合肥工業大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101 | 代理人: | 盧敏 |
| 地址: | 230009 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 碘鉛銫甲脒 薄膜 寬波帶 超高速 光電 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.基于碘鉛銫甲脒薄膜的寬波帶光電探測器,其特征在于:所述光電探測器是在絕緣玻璃的上表面設置有FA0.85Cs0.15PbI3薄膜,在所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上設置有一對與所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜呈歐姆接觸的金薄膜電極。
2.根據權利要求1所述的寬波帶光電探測器,其特征在于:所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜為n-型鈣鈦礦材料。
3.根據權利要求1所述的寬波帶光電探測器,其特征在于:所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜是由PbI2、CsI和甲脒氫碘酸鹽FAI溶于DMSO和DMF中形成的前驅體溶液,在絕緣玻璃的上表面旋涂成膜獲得。
4.根據權利要求1或3所述的寬波帶光電探測器,其特征在于:所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜的厚度在150~200nm之間。
5.根據權利要求1所述的寬波帶光電探測器,其特征在于:所述金薄膜電極的厚度在50~100nm。
6.一種權利要求1~5中任意一項所述的寬波帶光電探測器的制備方法,其特征是按如下步驟進行:
(1)將絕緣玻璃依次用丙酮、酒精和去離子水超聲清洗,再經氮氣吹干;然后放入等離子清洗機中,以氧氣作為工作氣體進行等離子清洗,備用;
(2)在玻璃瓶中依次加入0.461g的PbI2、0.0389g的CsI和0.145g的甲脒氫碘酸鹽FAI,然后加入0.2mL的DMSO和0.8mL的DMF,最后密封并在70℃加熱攪拌1小時,獲得前驅體溶液;
(3)將清洗后的絕緣玻璃放置到離心機上,將0.1mL的前軀體溶液滴于絕緣玻璃的上表面,然后以3000轉/分鐘的轉速離心1分鐘,并在離心開始10秒時在絕緣玻璃的上表面再滴加0.5mL的乙酸乙酯作為反溶劑以提高成膜質量;離心后將樣片放置在加熱板上140℃退火20分鐘,然后冷卻至室溫,即在絕緣玻璃的上表面形成FA0.85Cs0.15PbI3薄膜;
(4)在所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上覆蓋掩膜版,然后通過電子束鍍膜在FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上蒸鍍金薄膜,形成一對與所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜呈歐姆接觸的金薄膜電極,即完成寬波帶光電探測器的制備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥工業大學,未經合肥工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710575821.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





