[發明專利]一種懸空微結構的正面釋放技術有效
| 申請號： | 201710572621.0 | 申請日： | 2017-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN107265394B | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發明（設計）人： | 韓建強;韓東;牛文舉 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 懸空 微結構 正面 釋放 技術 | ||
【權利要求書】：
1.一種懸空微結構的正面釋放技術，其特征在于：所述的懸空微結構(2)的正面釋放技術的基本制作工藝步驟如下：
(1)原始硅片是(100)面、電阻率小于0.1Ω.cm但摻雜濃度小于自停止腐蝕濃度的重摻雜硅片(1)；
(2)采用氧化、化學氣相沉積工藝中至少一種在重摻雜硅片(1)表面制作組成微結構(2)的二氧化硅、氮化硅中至少一種薄膜；
(3)光刻并刻蝕出腐蝕窗口(3)；
(4)各向異性腐蝕液中腐蝕硅，在沿(100)面(4)縱向腐蝕硅的同時也沿(111)面(5)底切微結構(2)，使微結構(2)得以釋放。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國計量大學，未經中國計量大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710572621.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
