[發明專利]一種含Ce稀土永磁體及其制備方法有效
| 申請號: | 201710569040.1 | 申請日: | 2017-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN109256250B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 杜飛;陳國安;鈕萼;陳治安;王湛;饒曉雷;胡伯平 | 申請(專利權)人: | 北京中科三環高技術股份有限公司;天津三環樂喜新材料有限公司 |
| 主分類號: | H01F1/057 | 分類號: | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/12;C22C33/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ce 稀土 永磁體 及其 制備 方法 | ||
本發明涉及含Ce稀土永磁體及其制備方法。所述稀土永磁體包括主相和晶界相,晶界相中包括呈網狀連接的晶界相,呈網狀連接的晶界相由三角區晶界相和兩相區晶間晶界相構成;三角區晶界相為R(T?TM)2結構晶界相,R為La、Ce、Pr、Nd、Tb、Dy、Ho、Y中的一種或幾種稀土元素,并且,R中Ce為含量最高的元素,T是以Fe為必需元素或以Fe和Co為必需元素的一種以上過渡族金屬元素,TM為Al、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb中的一種或多種金屬元素;兩相區晶間晶界相中包含Ce和Ho稀土元素。本發明中Ho的加入增大了晶界相的潤濕性,晶界相的面積占比明顯增大,使得晶界相對于永磁體的去磁耦合作用變強,通過控制Ce與Ho的添加比例,使得永磁體的外稟磁性得以改善,矯頑力提高。
技術領域
本發明涉及稀土永磁體制備領域,具體涉及一種含Ce稀土永磁體及其制備方法。
背景技術
釹鐵硼稀土永磁材料,是迄今為止發現的磁性能最強的永磁材料,并以其優良的磁性能在越來越多的領域取得廣泛應用,如用于醫療核磁共振成像、計算機硬盤驅動器、音響手機、風力發電與航空航天領域等。伴隨人們對低碳、節能的需求,釹鐵硼稀土永磁材料在汽車電機、節能電器等領域的應用也日益增多。
目前,我國釹鐵硼的產量位居世界首位。釹鐵硼雖然比第二代SmCo系材料具有一定的成本優勢,但是成本仍然較高。釹鐵硼中,金屬釹的成本占原料總成本的90%左右,不斷增大的應用市場使得對于原材料的依賴日益加劇。同時,市場對于原材料的價格波動也更加敏感。因此,尋求一種更少釹含量的替代磁體變得迫在眉睫。
同樣作為稀土元素,自然界中Ce元素的豐度要遠遠高于金屬Nd元素,前者的價格約為后者的十分之一左右。Ce的添加一方面可以大量的節約原材料成本;另一方面可以有效的減少稀土分離過程中對于環境的不良影響。但是,隨著Ce的添加量增加,稀土永磁體的磁性能會出現明顯的下滑,大大限制了含Ce磁體的應用。一些生產與科研單位都對低成本并可獲得較好磁性能的高性價比含Ce磁體進行了研究。
非專利文獻1[J.Appl.Phys,Vol.115,No.11,113912]研究了采用混合稀土MM和雙合金法制備(MM,Nd,Dy)-Fe-Co-Cu-Al-Nb-B燒結磁體的相結構、微結構與永磁性能的關系。該研究認為含Ce磁體在磁性能方面的明顯下滑,一方面是由于Ce-Fe-B的飽和磁化強度與各向異性場低于Nd-Fe-B;另一方面,在Ce-Fe-B三元合金中,Ce更加傾向于生成與主相之間潤濕性差的Laves相--RT2相,該相主要分布在晶界三角區中,無法充分包裹R2Fe14B主相,從而削弱了晶界相的去磁耦合作用。因此,這兩種原因大大限制了Ce的磁性能,特別是矯頑力。
專利文獻CN104575920采用燒結工藝制備的磁體成分為MMa-bHRbFecBdTMe,其中,x=0.24~0.6,a=27~36,b=0~10.0,c=0~3.0,MM為(CexLR1-x),LR為Nd、Pr中的一種或兩種。隨著Ce添加量的增加,RT2相開始生成并逐漸增多,但是所生成的RT2相主要分布于三角區,并沒有發揮良好的去磁耦合作用。
在上述的研究中,隨著Ce替代Nd的比例增加,富Ce相--R(T-TM)2的比例也逐漸增大。無Ce的磁體中,富Nd相與主相晶粒潤濕性良好,可形成連續而光滑的晶界相,對晶粒形成良好包裹,起到去磁耦合作用,保障矯頑力。常規方法制備的含Ce磁體中,R(T-TM)2相與主相晶粒的潤濕性較差,在晶界中大多以顆粒狀出現于三角晶界處,這些顆粒相互孤立,無法對主相形成良好的去磁耦合作用。假若能使孤立的R(T-TM)2相實現相互連接,同時提升晶界相的面積及潤濕性,改善晶界相對于主相顆粒的去磁耦合作用,含Ce磁體的矯頑力將會得到明顯的提升。
發明內容
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