[發明專利]化銀工藝中爬銀的抑制方法

有效

• 申請號: 201710567639.1
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107172824B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 陳志春
• 申請（專利權）人: 陳志春
• 主分類號: H05K3/26
• 分類號: H05K3/26;C23C18/42;C23C18/18
• 代理公司: 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224
• 代理人: 陳錢

技術領域

本發明屬于抑制爬銀技術領域，具體涉及一種化銀工藝中爬銀的抑制方法。

背景技術

一般來說印制電路板多采用化銀工藝進行金屬化表面處理，但是其存在的缺點是容易產生爬銀從而影響電路板的質量和使用壽命。爬銀問題會影響線路線寬線隙，從而影響線路信號傳遞，嚴重時會導致信號偏移、失真，使其失去原有的功能。目前還沒有一種技術專用于解決化銀工藝的爬銀(Silver Overflow)問題。對于當前在化銀工藝中出現的爬銀問題也沒有特別有效的解決方法，現有的方法只能起到改善作用，生產效率低，成本高。

發明內容

本發明的目的在于解決以上現有技術中存在的技術問題，提供一種爬銀抑制效果好、生產成本低的化銀工藝中爬銀的抑制方法。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，包括步驟A；A.有機醇胺處理：在化銀前對待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板。

進一步的，在步驟A之前，還包括步驟S，S.待化銀的電路板的預處理：電路板依次經過除油、水洗、微蝕、水洗、預浸后，得到待化銀的電路板。

進一步的，在步驟A之后，還包括步驟J，J.化銀：將待化銀的電路板進行化銀處理。

進一步的，所述步驟A中所述有機醇胺為單乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一種或幾種。

進一步的，所述步驟A中所述有機醇胺為單乙醇胺水溶液；所述單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質量分數為15％-25％。

進一步的，所述單乙醇胺的浸潤溫度為40-60℃。

進一步的，所述單乙醇胺的浸潤時間為10-20min。

本發明相對于現有技術的有益效果是：本發明的化銀工藝中爬銀的抑制方法，采用有機醇胺作為抑制劑，通過將現有的化銀工藝進行改進，即在電路板進行化銀操作時先用有機醇胺進行處理，經過本發明中的實驗測試，優選出了單乙醇胺水溶液作為最佳的抑制劑，并在優化條件下，實現了最優的抑制爬銀的技術效果，從而，本發明的方法可以抑制印制電路板在化銀工藝中出現的爬銀品質缺陷，并且使用方便，操作簡單，進而采用本發明后生產效率更高，相對成本更低。

附圖說明

圖1本發明測試例1未采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖2本發明測試例1低溫下(20℃-30℃)采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后得到的印制電路板。

圖3本發明測試例1高溫下(40℃-60℃)采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后得到的印制電路板。

圖4本發明測試例2未采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖5本發明測試例2采用低濃度單乙醇胺水溶液(質量分數為5％-10％)進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖6本發明測試例2采用高濃度單乙醇胺水溶液(質量分數為15％-25％)進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖7本發明測試例3未采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖8本發明測試例3采用單乙醇胺水溶液短時間內(2min-6min)進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖9本發明測試例3采用單乙醇胺水溶液長時間內(10min-20min)進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖10現有技術未做爬銀抑制處理得到的印制電路板。

圖11采用本發明的爬銀抑制處理方法得到的印制電路板。

其中，圖1中爬銀寬度L1為27～36μm，圖2中爬銀寬度L2為11～16μm；圖3中沒有爬銀；圖4中爬銀寬度L3為27～29μm；圖5中爬銀寬度L4為13～15μm；圖6中沒有爬銀；圖7中爬銀寬度L5為27～36μm；圖8中爬銀寬度L6為11～12μm；圖9中沒有爬銀；圖10中爬銀寬度L7＞26μm；圖11中沒有爬銀。

具體實施方式

以下結合實施例對本發明的技術方案進行詳細的說明，以使本領域的技術人員在閱讀了本發明說明書的基礎上能夠充分完整的實現本發明的技術方案，并解決本發明所要解決的現有技術中存在的問題。應當說明的是，以下僅是本發明的優選實施方式，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明創造構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些應當都屬于本發明的保護范圍。

實施例

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，包括步驟A；A.有機醇胺處理：在化銀前對待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板。