[發明專利]一種光學鄰近修正方法

有效

• 申請號: 201710566152.1
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN109254494B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 杜杳雋;王興榮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;翟海青

1.一種光學鄰近修正方法，其特征在于，包括：

提供經過至少一次光學鄰近修正后的切割層圖形，所述切割層圖形位于掩模版上，所述切割層圖形用于轉印至半導體襯底上以形成掩膜圖形，進而以所述掩膜圖形為掩模對半導體器件中的待切割結構進行切割；

對所述切割層圖形進行光學模擬，以獲得模擬輪廓，其中，所述模擬輪廓包括關鍵邊緣和非關鍵邊緣，所述掩膜圖形的輪廓中與所述待切割結構相交的邊緣對應所述模擬輪廓的所述關鍵邊緣，所述掩膜圖形的輪廓中與所述待切割結構不相交的邊緣對應所述模擬輪廓的所述非關鍵邊緣；

將所述模擬輪廓和目標輪廓進行比較，分別獲得所述關鍵邊緣的邊緣放置誤差和所述非關鍵邊緣的邊緣放置誤差；

計算成本函數，所述成本函數為所述關鍵邊緣的邊緣放置誤差的加權平方和，以及所述非關鍵邊緣的邊緣放置誤差的加權平方和之和，其中，所述關鍵邊緣的邊緣放置誤差的權重大于所述非關鍵邊緣的邊緣放置誤差的權重；

判斷所述成本函數是否超出標準范圍，若超出則繼續對所述切割層圖形進行光學鄰近修正，直到所述成本函數在標準范圍內，若在標準范圍內則光學鄰近修正終止。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體器件包括FinFET器件，所述待切割結構包括形成在所述FinFET器件上的鰭片結構，以所述掩膜圖形為掩模沿與所述鰭片結構的長度延伸方向垂直的方向對所述鰭片結構進行切割；

所述掩膜圖形的輪廓中與所述鰭片結構的長度延伸方向垂直的邊緣對應所述模擬輪廓的所述關鍵邊緣，與所述鰭片結構的長度延伸方向平行的邊緣對應所述模擬輪廓的所述非關鍵邊緣。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述關鍵邊緣和所述非關鍵邊緣分別分割為多個片段，將所述模擬輪廓和所述目標輪廓的每個對應的所述片段進行比較，以獲得每個所述片段的邊緣放置誤差。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述關鍵邊緣的邊緣放置誤差的加權平方和包括所述關鍵邊緣的每個片段的邊緣放置誤差的加權平方和，所述非關鍵邊緣的邊緣放置誤差的加權平方和包括所述非關鍵邊緣的每個片段的邊緣放置誤差的加權平方和。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述關鍵邊緣的所述片段的數目與所述非關鍵邊緣的所述片段的數目相同，所述關鍵邊緣的所述片段均勻間隔分布，所述非關鍵邊緣的所述片段均勻間隔分布。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述關鍵邊緣的邊緣放置誤差的權重是所述非關鍵邊緣的邊緣放置誤差的權重的3倍～20倍。

7.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述成本函數的方程式為：

EPE_c,i＝T_c,i-S_c,i

EPE_p,i＝T_p,i-S_p,i

MSE＝w_c∑_iEPE_c,i²+w_p∑_iEPE_p,i²

其中，EPE_c,i表示關鍵邊緣的任一片段的邊緣放置誤差，T_c,i表示目標輪廓中的關鍵邊緣的一片段位置，S_c,i表示模擬輪廓中的關鍵邊緣的對應片段的位置，EPE_p,i表示非關鍵邊緣的任一片段的邊緣放置誤差，T_p,i表示目標輪廓中的非關鍵邊緣的一片段位置，S_p,i表示模擬輪廓中的非關鍵邊緣的對應片段的位置，MSE表示均方誤差，w_c表示關鍵邊緣的邊緣放置誤差的權重，w_p表示非關鍵邊緣的邊緣放置誤差的權重。