[發(fā)明專利]體聲波濾波器裝置及制造該體聲波濾波器裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710564814.1
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107623500B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林昶賢;金漢泰;李泰勛;李泰京;金泰潤
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會社
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/56;H03H9/58
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;金光軍

本發(fā)明提供一種體聲波濾波器裝置及制造該體聲波濾波器裝置的方法。所述體聲波濾波器裝置包括：第一層，與基板一起形成氣隙；下電極，設(shè)置在所述第一層之上；壓電層，設(shè)置為覆蓋所述下電極的一部分；上電極，設(shè)置在所述壓電層之上；框架層，設(shè)置在所述上電極之上或者之下；以及下電極增強(qiáng)層，設(shè)置在所述下電極的除了設(shè)置有所述壓電層的部分之外的部分上。所述下電極增強(qiáng)層通過在形成所述上電極時使所述下電極增強(qiáng)層與所述上電極分開而形成或者通過在形成所述框架層時使所述下電極增強(qiáng)層與所述框架層分開而形成。

本申請要求于2016年7月14日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0089387號以及于2016年11月28日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0159251號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

以下描述涉及一種體聲波濾波器裝置及制造該體聲波濾波器裝置的方法。

背景技術(shù)

近來，根據(jù)通信技術(shù)的飛速發(fā)展，存在對開發(fā)信號處理技術(shù)以及射頻(RF)組件技術(shù)的需求。

具體地，根據(jù)無線通信裝置小型化的趨勢，存在對小型化的射頻組件的積極需求。已經(jīng)通過使用制造半導(dǎo)體薄膜晶圓的技術(shù)將濾波器制造為體聲波(BAW)諧振器來實現(xiàn)射頻組件中的濾波器的小型化。

體聲波(BAW)諧振器將如下的薄膜型元件實現(xiàn)為濾波器：其中壓電介電材料沉積在作為半導(dǎo)體基板的硅晶圓上，以通過利用壓電介電材料的壓電特性來產(chǎn)生諧振。體聲波(BAW)諧振器的應(yīng)用領(lǐng)域包括諸如移動通信裝置、化學(xué)和生物裝置以及其它類似裝置中使用的那些小且重量輕的濾波器、振蕩器、諧振元件以及聲諧振質(zhì)量傳感器。

此外，已經(jīng)研究了各種結(jié)構(gòu)形狀和功能來增強(qiáng)體聲波諧振器的功能和結(jié)構(gòu)特性，并且有必要開發(fā)減小體聲波諧振器的特性變化的結(jié)構(gòu)和技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡化形式介紹選擇的構(gòu)思，以下在具體實施方式中進(jìn)一步描述所述構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容并不意在確定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。

根據(jù)實施例，提供一種體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置包括：第一層，與基板一起形成氣隙；下電極，設(shè)置在所述第一層之上；壓電層，設(shè)置為覆蓋所述下電極的一部分；上電極，設(shè)置在所述壓電層之上；框架層，設(shè)置在所述上電極的之上或者之下；以及下電極增強(qiáng)層，設(shè)置在所述下電極的除了可設(shè)置有所述壓電層的部分之外的部分上，其中，所述下電極增強(qiáng)層可通過在形成所述上電極時使所述下電極增強(qiáng)層與所述上電極分開而形成或者通過在形成所述框架層時使所述下電極增強(qiáng)層與所述框架層分開而形成。

所述下電極增強(qiáng)層可由與所述下電極相同的材料形成，或由包含與所述下電極相同的材料的材料形成。

所述體聲波濾波器裝置還可包括第二層，所述第二層形成在覆蓋所述氣隙的所述第一層之上。

所述體聲波濾波器裝置還可包括第三層，所述第三層設(shè)置在所述第一層之上，覆蓋所述上電極的除了支撐金屬焊盤的部分之外的部分，且不覆蓋所述下電極增強(qiáng)層。

金屬焊盤可形成在所述下電極增強(qiáng)層和所述上電極或所述框架層上。

所述下電極增強(qiáng)層的厚度對應(yīng)于所述上電極或所述框架層的厚度。

所述體聲波濾波器裝置還可包括金屬焊盤，所述金屬焊盤設(shè)置在所述下電極增強(qiáng)層之上。

所述下電極增強(qiáng)層可與所述上電極同時形成，并且所述上電極和所述下電極增強(qiáng)層可通過圖案化彼此分開。

所述下電極增強(qiáng)層可與所述框架層同時形成，并且所述框架層和所述下電極增強(qiáng)層可通過圖案化彼此分開。