[發明專利]一種光刻膠回刻平坦化方法

有效

• 申請號: 201710564645.1
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107300834B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 魏紹均
• 申請（專利權）人: 上海彤程電子材料有限公司;彤程新材料集團股份有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 李余江;朱法恒

本發明提供了一種光刻膠回刻平坦化方法。所述光刻膠回刻平坦化方法，包括：在具有電路結構的硅片表面形成介質層；對所述硅片進行第一次烘烤處理；在所述硅片的自然冷卻過程中，在所述硅片表面涂覆光刻膠，其中，所述光刻膠覆蓋所述介質層；在所述光刻膠涂覆完成之后對所述硅片進行第二次烘烤處理；對所述光刻膠和所述介質層進行回刻處理，來使所述硅片表面平坦化。本發明提供的方法可以避免在光刻膠平坦化刻蝕過程中出現過量刻蝕甚至破壞其他膜層，有效保證光刻膠回刻的平坦化程度。

【技術領域】

本發明涉及半導體芯片制造技術領域，特別地，涉及一種光刻膠回刻平坦化方法。

【背景技術】

在半導體芯片的制造工藝中，光刻膠回刻平坦化是一項重要的工藝技術，其主要是利用涂覆到介質層上的光刻膠，對其進行刻蝕處理，從而達到平坦化介質層目的。然而，上述工藝過程中，如果介質層表面存在小縫隙的情況，光刻膠涂覆烘烤過程中小縫隙中的空氣容易出現膨脹，會造成在小縫隙的表面形成一個氣泡。由于氣泡的存在，此處的光刻膠的厚度會很小，因此光刻膠很容易被刻穿，進而導致在氣泡所在的區域的介質層很容易被過量刻蝕，甚至還可以損傷到介質層下方的其他膜層，從而導致平坦化效果變差。

有鑒于此，有必要提供一種光刻膠回刻平坦化方法，以解決現有技術存在的上述問題。

【發明內容】

本發明的其中一個目的在于為解決上述問題而提供一種光刻膠回刻平坦化方法。

本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法，包括：在具有電路結構的硅片表面形成介質層；對所述硅片進行第一次烘烤處理；在所述硅片的自然冷卻過程中，在所述硅片表面涂覆光刻膠，其中，所述光刻膠覆蓋所述介質層；在所述光刻膠涂覆完成之后對所述硅片進行第二次烘烤處理；對所述光刻膠和所述介質層進行回刻處理，來使所述硅片表面平坦化。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述介質層形成在所述硅片表面并且至少覆蓋所述電路結構。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述介質層在所述電路結構附近形成小縫隙。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，在所述光刻膠涂覆之后，所述介質層表面的低洼處會被所述光刻膠填平，而所述介質層存在的小縫隙則未被所述光刻膠填充滿。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，在所述光刻膠的涂覆之前所述硅片經過所述第一次烘烤而具有一定溫度的，且所述光刻膠涂覆過程中所述硅片逐漸變涼而導致所述小縫隙內部的空氣出現收縮并將所述光刻膠吸入到所述小縫隙的內部。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述光刻膠被吸入并至少填充到所述小縫隙的底部。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述第一次烘烤處理的烘烤溫度為50℃~100℃，而烘烤時間為1分鐘~20分鐘。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述第二次烘烤處理的烘烤溫度為50℃~100℃，而烘烤時間為1分鐘~20分鐘。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述第一次烘烤處理用于去除所述硅片表面的水汽，所述第二次烘烤處理用于去除所述光刻膠的溶劑。

作為在本發明提供的光刻膠回刻平坦化方法的一種改進，在一種優選實施例中，還包括：在所述硅片表面覆蓋增粘劑，所述增粘劑用于在后續光刻膠涂覆過程中增加所述光刻膠和所述硅片之間的粘附性。