[發明專利]一種大功率高壓高頻電源在審
| 申請號: | 201710559752.5 | 申請日: | 2017-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN107124114A | 公開(公告)日: | 2017-09-01 |
| 發明(設計)人: | 王威;陳峰 | 申請(專利權)人: | 江蘇容天機電科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/217 | 分類號: | H02M7/217;H02M7/49;H02M5/458 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所32237 | 代理人: | 鄧麗 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大功率 高壓 高頻 電源 | ||
技術領域
本發明涉及一種大功率高壓高頻電源,屬于高壓電源技術領域。
背景技術
大功率高壓高頻電源在現代工業中應用廣泛,負載端對高壓高頻電源輸出的頻率及電壓幅值要求較高,這些參數直接決定著系統效率的高低。隨著我國工業化的飛速發展,對大功率高壓高頻電源的輸出幅值和頻率要求越來高,傳統的大功率高壓高頻電源要么通過調節重復頻率來調節輸出,即所謂的PFM方式,要么通過調節占空比來調節輸出,即所謂的PWM方式,已不能完全滿足市場需求。
發明內容
針對上述問題,本發明的主要目的是提供一種結構簡單、設計合理、操作方便的大功率高壓高頻電源,可靈活調節輸出的頻率和幅值,既可交替工作也可同時工作,且降低了元器件的工作電壓。
本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題的:一種大功率高壓高頻電源,包括順序連接的低壓整流電路、濾波電容、逆變電路、諧振電容、高頻高壓變壓器、高頻高壓整流電路,還包括與所述逆變電路連接的IGBT控制驅動電路,所述低壓整流電路、濾波電容、逆變電路、諧振電容及高頻高壓變壓器的低壓線圈均由三組相應單元串聯組成。
優選地,所述低壓整流電路包括三個單相全橋整流電路,所述的三個單相全橋整流電路的輸入分別取自三相電源中的AB、BC、AC。
優選地,所述濾波電容由三組電容串聯組成,每組由4-8個電容并聯組成。
優選地,所述逆變電路包括三個單相全橋逆變電路,每個單相全橋逆變電路由4個IGBT模塊組成,每個IGBT模塊包括一個IGBT和一個與之反并聯的二極管。
優選地,所述諧振電容由三組電容組成,每組由4-10個電容并聯組成。
優選地,所述高頻高壓變壓器的低壓線圈由三個線圈串聯組成,變壓器的變比為60-200,優選為80。
優選地,所述高頻高壓整流電路由全橋整流電路組成;所述IGBT驅動控制電路控制所述單相全橋逆變電路中IGBT模塊的開通和關斷。
本發明的積極進步效果在于:本發明結構簡單、設計合理,可靈活調節輸出的頻率和幅值,既可交替工作也可同時工作,且降低了元器件的工作電壓。
附圖說明
圖1為本發明的結構示意圖。
圖中:1、低壓整流電路;2、濾波電容;3、逆變電路;4、諧振電容;5、高頻高壓變壓器;6、高頻高壓整流電路;7、IGBT控制驅動電路。
具體實施方式
下面結合附圖給出本發明較佳實施例,以詳細說明本發明的技術方案。
如圖1所示,一種大功率高壓高頻電源,包括順序連接的低壓整流電路1、濾波電容2、逆變電路3、諧振電容4、高頻高壓變壓器5、高頻高壓整流電路6,還包括與所述逆變電路3連接的IGBT控制驅動電路7,所述低壓整流電路1、濾波電容2、逆變電路3、諧振電容4及高頻高壓變壓器5的低壓線圈均由三組相應單元串聯組成。所述低壓整流電路1包括三個單相全橋整流電路,所述的三個單相全橋整流電路的輸入分別取自三相電源中的AB、BC、AC。所述濾波電容2由三組電容串聯組成,每組由4-8個電容并聯組成。所述逆變電路3包括三個單相全橋逆變電路,每個單相全橋逆變電路由4個IGBT模塊組成,每個IGBT模塊包括一個IGBT和一個與之反并聯的二極管。所述諧振電容4由三組電容組成,每組由4-10個電容并聯組成。所述高頻高壓變壓器5的低壓線圈由三個線圈串聯組成,變壓器的變比為60-200,優選為80。所述高頻高壓整流電路6由全橋整流電路組成;所述IGBT驅動控制電路7控制所述單相全橋逆變電路中IGBT的開通和關斷。
工作時,通過控制所述逆變電路3的三個單相全橋逆變電路中的IGBT模塊開通和關斷來調節輸出的幅值和頻率,工作方式1如下:所述逆變電路3中的上半周開關模塊由G1、G4、G5、G8、G9、G12組成,同時開通和關斷,下半周開關模塊由G2、G3、G6、G7、G10、G11組成,同時開通和關斷,上半周開關模塊與下半周開關模塊互補開通,可實現所述逆變電路3的三個單相全橋逆變電路幅值的疊加。
工作方式2如下:所述逆變電路3的三組單相全橋逆變電路交替工作,其中一組單相全橋逆變電路工作時,其余兩組單相全橋逆變電路不工作,可實現所述逆變電路的三個單相全橋逆變電路頻率的疊加。
以上對本發明的具體實施方式進行了描述,但本發明并不限于以上描述。對于本領域的技術人員而言,任何對本技術方案的同等修改和替代都是在本發明的范圍之中。因此,在不脫離本發明的精神和范圍下所作的均等變換和修改,都應涵蓋在本發明的范圍內。
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