[發明專利]一種振蕩器電路

在審

• 申請號: 201710557790.7
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN107342736A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長沙方星騰電子科技有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于半導體集成電路技術領域，具體涉及一種振蕩器電路。

背景技術

振蕩器是一種能量轉換裝置，它的主要作用是將直流電能轉換成具有一定頻率的交流電能。

傳統的振蕩器電路如圖1所示，包括：第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3和電容C1；第一反相器INV1的輸入接振蕩器的輸出端U_OUT；第二反相器INV2的輸入接第一反相器INV1的輸出；第三反相器INV3的輸入接第二反相器INV2的輸出，輸出接電容C1的一端及振蕩器的輸出U_OUT；電容C1的另一端接地。

傳統的振蕩器電路頻率由簡單的多級環路實現，在受到外部電磁干擾時的頻率穩定度差。

發明內容

為解決現有振蕩器在受到外部電磁干擾時的頻率穩定度差的技術問題，本發明提供了一種穩定性好的振蕩器電路。

一種振蕩器電路，包括電流源I、電容C1、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2和第一NMOS晶體管N1；電流源I的一端接電源，另一端接第一反相器INV1的輸入、電容C1的一端和第一NMOS晶體管N1的漏極；電容C1的另一端接地；第一反相器INV1的輸出接第二反相器INV2的輸入和第一PMOS晶體管P1的柵極；第二反相器INV2的輸出接第三反相器INV3的輸入和第二PMOS晶體管P2的漏極；第三反相器INV3的輸出作為振蕩器的輸出，且接第四反相器INV4的輸入和第二PMOS晶體管P2的柵極；第四反相器INV4的輸出接第一NMOS晶體管N1的柵極；第一PMOS晶體管P1的源極接電源，漏極接第二PMOS晶體管P2的源極；第一NMOS晶體管N1的源極接地。

本發明的振蕩器結構引入了電流源和鎖存電路，這大大提升了振蕩器的抗電磁干擾能力，增強了頻率穩定度。

附圖說明

圖1是傳統振蕩器的電路結構示意圖；

圖2是本發明實施方式提供的振蕩器的電路結構示意圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明了，下面結合具體實施方式并參照附圖，對本發明進一步詳細說明。應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發明的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本發明的概念。

為解決現有振蕩器在受到外部電磁干擾時的頻率穩定度差的技術問題，本發明提供了一種穩定性好的振蕩器電路。如圖2所示，一種振蕩器電路，包括電流源I、電容C1、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2和第一NMOS晶體管N1；電流源I的一端接電源，另一端接第一反相器INV1的輸入、電容C1的一端和第一NMOS晶體管N1的漏極；電容C1的另一端接地；第一反相器INV1的輸出接第二反相器INV2的輸入和第一PMOS晶體管P1的柵極；第二反相器INV2的輸出接第三反相器INV3的輸入和第二PMOS晶體管P2的漏極；第三反相器INV3的輸出作為振蕩器的輸出，且接第四反相器INV4的輸入和第二PMOS晶體管P2的柵極；第四反相器INV4的輸出接第一NMOS晶體管N1的柵極；第一PMOS晶體管P1的源極接電源，漏極接第二PMOS晶體管P2的源極；第一NMOS晶體管N1的源極接地。

本發明的振蕩器電路中，第二反相器INV2、第二PMOS晶體管P2、第一PMOS晶體管P1構成一級鎖存電路，第三反相器INV3、第二PMOS晶體管P2構成二級鎖存電路，本發明的振蕩器結構引入了電流源和兩級鎖存電路，這大大提升了振蕩器的抗電磁干擾能力，增強了頻率穩定度。

應當理解的是，本發明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發明的原理，而不構成對本發明的限制。因此，在不偏離本發明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。此外，本發明所附權利要求旨在涵蓋落入所附權利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內的全部變化和修改例。