[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710557756.X
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN108122768B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃玉蓮
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

1.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：

形成多個鰭狀物于一基板上，每一該些鰭狀物具有一頂部與多個側(cè)壁；

形成一虛置柵極結(jié)構(gòu)于該些鰭狀物上；

形成一間隔物層于該虛置柵極結(jié)構(gòu)的頂部與側(cè)壁上以及該些鰭狀物的頂部與側(cè)壁上；

使該間隔物層凹陷，以沿著每一該些鰭狀物的側(cè)壁形成不對稱的多個凹陷的間隔物，并露出虛置柵極結(jié)構(gòu)的相反兩側(cè)上的每一該些鰭狀物的該頂部以及該側(cè)壁的上方部份；以及

外延成長一源極/漏極外延于每一該些鰭狀物上，且該源極/漏極外延覆蓋露出的每一該些鰭狀物的該頂部以及該側(cè)壁的該上方部份，其中一第一鰭狀物上的一第一源極/漏極外延與一第二鰭狀物上的一第二源極/漏極外延不對稱，該第一源極/漏極外延的高度大于該第二源極/漏極外延的高度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中使該間隔物層凹陷化以形成不對稱的該些凹陷的間隔物的步驟包括：

進(jìn)行一第一蝕刻使每一該些鰭狀物上的該間隔物層實質(zhì)上一致地凹陷化；

形成一掩模于該些鰭狀物的一或多個鰭狀物上，以覆蓋第一組的該些凹陷的間隔物；以及

進(jìn)行一第二蝕刻，使第二組的該些凹陷的間隔物進(jìn)一步凹陷化。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中第二組的該些凹陷化的間隔物，包含該些鰭狀物的每一外側(cè)鰭狀物的一內(nèi)側(cè)間隔物與一外側(cè)間隔物。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中第二組的該些凹陷化的間隔物包括該些鰭狀物的每一外側(cè)鰭狀物的一外側(cè)間隔物。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中使該間隔物層凹陷化的步驟包括：

以一第一蝕刻速率蝕刻第一組的該些間隔物，以形成不對稱的該些凹陷的間隔物的第一組的間隔物；以及

以一第二蝕刻速率蝕刻第二組的該些間隔物，以形成不對稱的該些凹陷的間隔物的第二組的間隔物，其中該第一蝕刻速率比該第二蝕刻速率慢。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中降低蝕刻劑氣體的濃度以達(dá)該第一蝕刻速率。

7.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：

形成多個鰭狀物于一基板上；

形成一柵極結(jié)構(gòu)于該些鰭狀物上；

沉積一間隔物材料于該些鰭狀物上與該些鰭狀物的一源極/漏極區(qū)中的該些鰭狀物之間；

使該間隔物材料凹陷，以露出每一該些鰭狀物的一頂部以及側(cè)壁的上方部份，其中使該間隔物材料凹陷的步驟包括：

使該些鰭狀物的一第一鰭狀物的間隔物材料凹陷，以露出該第一鰭狀物的頂部以及外側(cè)壁的上方部份，其中該第一鰭狀物露出的該外側(cè)壁的該上方部份具有一第一高度；以及

使該些鰭狀物的一第二鰭狀物的間隔物材料凹陷，以露出該第二鰭狀物的頂部以及第一側(cè)的上方部分，其中該第二鰭狀物露出的該第一側(cè)的該上方部分具有一第二高度，其中該第一高度大于該第二高度；以及

外延成長一第一外延于該第一鰭狀物上，且該第一外延覆蓋露出的該第一鰭狀物的該頂部以及該外側(cè)壁的該上方部份，以及外延成長一第二外延于該第二鰭狀物上，且該第二外延覆蓋露出的該第二鰭狀物的該頂部以及該第一側(cè)的該上方部份，其中該第一外延的高度大于該第二外延的高度。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中使該間隔物材料凹陷以露出該些鰭狀物的該頂部的步驟包括：

在一第一蝕刻中蝕刻該間隔物材料，使該間隔物材料降低到低于該些鰭狀物的上表面；

形成一光阻于該些鰭狀物上；

圖案化該光阻以露出該第一鰭狀物的該外側(cè)壁；以及

在一第二蝕刻中蝕刻該第一鰭狀物的該外側(cè)壁的該間隔物材料。