[發明專利]用于射頻消融導管的同軸導絲通道

在審

• 申請號: 201710557578.0
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN109223170A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 汪立;秦杰;盛衛文;王震;朱平;蔣雄京
• 申請（專利權）人: 上海安通醫療科技有限公司;泰爾茂株式會社
• 主分類號: A61B18/12
• 分類號: A61B18/12
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種用于射頻消融導管的同軸導絲通道，其特征在于，所述導絲通道沿所述射頻消融導管的軸向設置，所述導絲通道的中心軸與所述射頻消融導管的中心軸大致重合。

2.如權利要求1所述的用于射頻消融導管的同軸導絲通道，其特征在于，所述導絲通道由三層構成：

內層，所述內層形成的空腔可容納導引導絲，并且所述內層被設置為減少與所述導引導絲的摩擦；

中層，所述中層位于所述內層的外側，并與所述內層緊密貼合，所述中層被設置為粘合所述導絲通道的內層和外層；

外層，所述外層位于所述中層的外側，并與所述中層緊密貼合，所述外層被設置為提供導絲通道的柔韌性、粘附性和易加工性。

3.如權利要求2所述的用于射頻消融導管的同軸導絲通道，其特征在于，所述空腔的內徑略大于所述導引導絲的直徑。

4.如權利要求3所述的用于射頻消融導管的同軸導絲通道，其特征在于，所述空腔的內徑為0.37～0.60mm。

5.如權利要求2所述的用于射頻消融導管的同軸導絲通道，其特征在于，所述內層由高分子材料形成；所述高分子材料為HDPE、PTFE、FEP或PET。

6.如權利要求2所述的用于射頻消融導管的同軸導絲通道，其特征在于，所述中層由高分子粘接材料形成，所述高分子粘接材料為LLDPE、EVA或PE。

7.如權利要求2所述的用于射頻消融導管的同軸導絲通道，其特征在于，所述外層由高分子材料形成；所述高分子材料為Pebax、TPU、Nylon或TPE。

8.一種含有同軸導絲通道的射頻消融導管，包括用于進行生理調節的調節組件和用于將所述調節組件輸送到設定位置的輸送部件；

所述調節組件包括用于將調節能量傳遞到設定位置的電極和用于承載所述電極的承載部件；

所述承載部件具有第一形狀和第二形狀，在所述第一形狀下，所述調節組件適于在血管中移動；在所述第二形狀下，至少一個所述電極處于適合將所述調節能量傳遞到所述設定位置；其特征在于，

所述射頻消融導管內部設置有導絲通道，所述導絲通道貫穿整個所述射頻消融導管，并且所述導絲通道的中心軸與所述射頻消融導管的中心軸大致重合。

9.如權利要求8所述的含有同軸導絲通道的射頻消融導管，其特征在于，所述導絲通道由三層構成：

內層，所述內層形成的空腔可容納導引導絲，并且所述內層被設置為減少與所述導引導絲的摩擦；

中層，所述中層位于所述內層的外側，并與所述內層緊密貼合，所述中層被設置為粘合所述導絲通道的內層和外層；

外層，所述外層位于所述中層的外側，并與所述中層緊密貼合，所述外層被設置為提供導絲通道的柔韌性、粘附性和易加工性。

10.如權利要求9所述的含有同軸導絲通道的射頻消融導管，其特征在于，所述射頻消融導管還包括支撐管、內絕緣層、外絕緣層和導線：

所述支撐管位于所述導絲通道的外側；

所述內絕緣層設置在所述支撐管的外側；

所述外絕緣層設置在所述內絕緣層的外側；

所述導線設置在所述內絕緣層和所述外絕緣層之間，用于為所述電極提供所述調節能量和監控消融時的溫度和阻抗。