[發明專利]一種阻變存儲器的制造方法和阻變存儲器有效
| 申請號： | 201710552498.6 | 申請日： | 2017-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN107275482B | 公開（公告）日： | 2019-11-08 |
| 發明（設計）人： | 龍世兵;張美蕓;許曉欣;劉琦;呂杭炳;劉明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 存儲器 制造 方法 | ||
1.一種阻變存儲器的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一襯底，并在所述第一襯底上刻蝕出孔洞，沿所述第一襯底刻蝕有孔洞的表面往內的方向，所述孔洞的尺寸遞減；
在所述表面上沉積第一金屬薄膜，所述第一金屬薄膜為活性金屬薄膜；
在所述第一金屬薄膜上生長環氧層和設置第二襯底；
分離所述第一襯底和所述第一金屬薄膜，其中，所述第一金屬薄膜上形成有與所述孔洞對應的錐狀結構；
在所述第一金屬薄膜上依次沉積氧化物阻變層材料和第二金屬薄膜，以所述第一金屬薄膜作為所述存儲器的下電極，以所述第二金屬薄膜作為所述存儲器的上電極。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔洞為倒置的金字塔形；所述錐狀結構為金字塔形結構，所述金字塔形結構的頂部半徑為20-30nm。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一襯底上刻蝕出孔洞，包括：
在所述第一襯底上淀積氮化物薄膜；
按孔狀圖形刻蝕所述氮化物薄膜；
以所述氮化物薄膜作保護層刻蝕所述第一襯底，形成所述孔洞；
剝離所述氮化物薄膜。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一襯底上刻蝕出孔洞，包括：
采用各向異性刻蝕方法，在所述第一襯底上刻蝕出孔洞。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一金屬薄膜的材質為以下任一種或多種的組合：Ag，Cu，Ni；
所述第二金屬薄膜的材質為以下任一種或多種的組合：Ti、Cr，Pt。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一金屬薄膜上生長環氧層和設置第二襯底，包括：
在所述第一金屬薄膜上生長環氧層；
進行熱處理；
在所述環氧層上放置所述第二襯底，所述第二襯底為玻璃襯底。
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