[發(fā)明專(zhuān)利]指紋識(shí)別芯片與驅(qū)動(dòng)芯片的封裝方法及結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710551619.5
• 申請(qǐng)日: 2017-07-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107342234A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王之奇;謝國(guó)梁;胡漢青
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/50;H01L25/065
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 黨麗,王寶筠

1.一種指紋識(shí)別芯片與驅(qū)動(dòng)芯片的封裝方法，其特征在于，包括：

提供晶圓以及驅(qū)動(dòng)芯片，所述晶圓具有第一表面和與其相對(duì)的第二表面，所述晶圓的第一表面上形成有指紋識(shí)別芯片；所述驅(qū)動(dòng)芯片具有第一表面和與其相對(duì)的第二表面，所述驅(qū)動(dòng)芯片的第一表面具有驅(qū)動(dòng)電路和第二焊墊；

在所述晶圓的第二表面上形成盲孔；

在所述盲孔中固定驅(qū)動(dòng)芯片，所述驅(qū)動(dòng)芯片的第一表面與所述晶圓的第二表面齊平；

進(jìn)行所述晶圓的切割。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述指紋識(shí)別芯片包括感應(yīng)區(qū)和感應(yīng)區(qū)周?chē)牡谝缓笁|，所述盲孔對(duì)應(yīng)于所述指紋識(shí)別芯片的感應(yīng)區(qū)的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在所述盲孔中固定驅(qū)動(dòng)芯片之后，進(jìn)行所述晶圓的切割之前，還包括：

從所述指紋識(shí)別芯片的第二表面形成貫通至第一焊墊的通孔；

通過(guò)所述通孔在所述指紋識(shí)別芯片的第二表面上形成與第一焊墊電連接的再布線層；

形成與再布線層電連接的焊接凸起，以及與第二焊墊電連接的焊接凸起。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝方法，其特征在于，通過(guò)所述通孔在所述指紋識(shí)別芯片的第二表面上形成與第一焊墊電連接的再布線層，包括：

形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述通孔的側(cè)壁以及所述指紋識(shí)別芯片的第二表面、所述驅(qū)動(dòng)芯片的第一表面，且所述絕緣層上具有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口暴露第二焊墊；

在所述通孔中形成與第一焊墊電連接的再布線層，以及在所述第一開(kāi)口中形成與第二焊墊電連接的電連線層，所述再布線層覆蓋通孔內(nèi)壁且延伸至所述晶圓的第二表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝方法，其特征在于，通過(guò)所述通孔在所述指紋識(shí)別芯片的第二表面上形成與第一焊墊電連接的再布線層，包括：

形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述通孔的側(cè)壁以及所述指紋識(shí)別芯片的第二表面、所述驅(qū)動(dòng)芯片的第一表面；

填充所述通孔，以在所述第一焊墊上形成與第一焊墊電連接的金屬插塞；

在所述金屬插塞上形成與金屬插塞電連接的再布線層，以及在所述第二焊墊上形成與第二焊墊電連接的電連線層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝方法，其特征在于，所述通孔為階梯孔，從所述指紋識(shí)別芯片的第二表面形成貫通至第一焊墊的通孔，包括：

從指紋識(shí)別芯片的第二表面形成溝槽，所述溝槽位于第一焊墊上方；

在所述溝槽中形成貫通至第一焊墊的過(guò)孔，以形成階梯孔，每一過(guò)孔對(duì)應(yīng)一個(gè)第一焊墊；

通過(guò)所述通孔在所述指紋識(shí)別芯片的第二表面上形成與第一焊墊電連接的再布線層，包括：

形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述階梯孔的側(cè)壁以及所述指紋識(shí)別芯片的第二表面、所述驅(qū)動(dòng)芯片的第一表面，且所述絕緣層上具有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口暴露第二焊墊；

在階梯孔中形成與第一焊墊電連接的再布線層，以及在所述第一開(kāi)口上形成與第二焊墊電連接的電連線層，所述再布線層覆蓋所述階梯孔內(nèi)壁且延伸至所述晶圓的第二表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)所述的封裝方法，其特征在于，形成與再布線層電連接的焊接凸起，以及與第二焊墊電連接的焊接凸起，包括：

形成覆蓋所述晶圓的第二表面的阻焊層，所述阻焊層上形成有第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口暴露再布線層以及電連線層；

在所述第二開(kāi)口中形成焊接凸起。

8.根據(jù)權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的封裝方法，其特征在于，形成第一焊墊的再布線層的步驟中，還包括：

形成電連接第一焊墊和第二焊墊的互連線層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在提供晶圓之后、在所述晶圓的第二表面上形成盲孔之前，還包括：

提供支撐基板；

在所述晶圓的第一表面上形成第一粘合層，通過(guò)所述第一粘合層將支撐基板與所述晶圓對(duì)位壓合。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝方法，其特征在于，通過(guò)所述第一粘合層將支撐基板與所述晶圓對(duì)位壓合之后，形成盲孔之前，還包括：

從所述晶圓的第二表面將所述晶圓進(jìn)行減薄。