[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710550210.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107204358B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林冠亨;吳忻蕙;陳重嘉;李孟庭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務(wù)所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 結(jié)構(gòu) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種像素結(jié)構(gòu),包括基板、第一子像素結(jié)構(gòu)、第二子像素結(jié)構(gòu)及第三子像素結(jié)構(gòu)。第一子像素結(jié)構(gòu)、第二子像素結(jié)構(gòu)及第三子像素結(jié)構(gòu)配置于基板上,其中第一子像素結(jié)構(gòu)與第二子像素結(jié)構(gòu)沿第一方向排列,且第三子像素結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一子像素結(jié)構(gòu)與第二子像素結(jié)構(gòu)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu),且特別是有關(guān)于一種用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
近年來(lái),由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光、廣視角、省電、程序簡(jiǎn)易、低成本、操作溫度廣泛、高應(yīng)答速度以及全彩化等等的優(yōu)點(diǎn),使其具有極大的潛力成為下一代平面顯示器的主流。隨著顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步,對(duì)于顯示器的顯示品質(zhì)的要求也越益提高。因此,如何提高有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的顯示品質(zhì)仍是目前此領(lǐng)域極欲發(fā)展的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu),其可提高顯示面板的顯示品質(zhì)。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)包括基板、第一子像素結(jié)構(gòu)、第二子像素結(jié)構(gòu)及第三子像素結(jié)構(gòu)。第一子像素結(jié)構(gòu)、第二子像素結(jié)構(gòu)及第三子像素結(jié)構(gòu)配置于基板上,其中第一子像素結(jié)構(gòu)與第二子像素結(jié)構(gòu)沿第一方向排列,且第三子像素結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一子像素結(jié)構(gòu)與第二子像素結(jié)構(gòu)。
基于上述,在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中,第一子像素結(jié)構(gòu)與第二子像素結(jié)構(gòu)沿一方向排列,且第三子像素結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一子像素結(jié)構(gòu)與第二子像素結(jié)構(gòu),藉此包括本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的顯示面板的顯示品質(zhì)可被提升。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。
附圖說(shuō)明
圖1是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖2是沿著圖1中的剖線A-A’的剖面示意圖。
圖3是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖4是沿著圖3中的剖線B-B’的剖面示意圖。
圖5是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖6是沿著圖5中的剖線C-C’的剖面示意圖。
圖7是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖8是沿著圖7中的剖線D-D’的剖面示意圖。
其中,附圖標(biāo)記:
10、20、30、40:像素結(jié)構(gòu)
100:基板
100A:第一子像素區(qū)域
100B:第二子像素區(qū)域
100C:第三子像素區(qū)域
110:元件層
120:第一電極層
120A、120B、120C:電極圖案
130:第一發(fā)光層
132:第二發(fā)光層
134、234、434:第三發(fā)光層
140:隔離層
150:第二電極層
b、d、f:寬度
C1、C2、C3、3C3、C4、3C4、C5、3C5、C6、3C6:區(qū)域
D1、D2:方向
V1、V2:開(kāi)口
U1、2U1、4U1:第一子像素結(jié)構(gòu)
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- 同類(lèi)專利
- 專利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)結(jié)構(gòu)
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