[發明專利]像素結構有效
| 申請號: | 201710550210.1 | 申請日: | 2017-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN107204358B | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發明(設計)人: | 林冠亨;吳忻蕙;陳重嘉;李孟庭 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括:
一基板包括一第一子像素區域、一第二子像素區域以及一第三子像素區域;以及
一第一子像素結構、一第二子像素結構及一第三子像素結構,配置于該基板上,其中該第一子像素結構與該第二子像素結構沿一第一方向排列,且該第三子像素結構環繞該第一子像素結構與該第二子像素結構;
其中,該第一子像素結構位于該第一子像素區域中,該第二子像素結構位于該第二子像素區域中,且該第三子像素結構位于該第三子像素區域中,該第一子像素區域及該第二子像素區域的形狀為矩形,該第三子像素區域具有沿該第一方向延伸的一第一矩形區域和一第二矩形區域,以及沿一第二方向延伸的一第三矩形區域、一第四矩形區域、一第五矩形區域和一第六矩形區域,其中該第一方向與該第二方向相垂直,且該第三矩形區域、該第四矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域介于該第一矩形區域與該第二矩形區域之間,該第一子像素區域和該第二子像素區域分別具有寬度d,該第一矩形區域、該第二矩形區域、該第三矩形區域、該第四矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域分別具有寬度b,且b<0.25d;
其中,該第三子像素區域的輪廓形成二個封閉的容納區,該第一子像素區域位于該二個封閉的容納區其中一個中,該第二子像素區域位于該二個封閉的容納區另一個中。
2.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于:
該第一矩形區域、該第二矩形區域、該第三矩形區域和該第四矩形區域共同環繞該第一子像素區域;以及
該第一矩形區域、該第二矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域共同環繞該第二子像素區域。
3.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于,該第三矩形區域和該第四矩形區域位于該第一子像素區域的一側,該第五矩形區域和該第六矩形區域位于該第一子像素區域的另一側,且該第一矩形區域、該第二矩形區域、該第三矩形區域、該第四矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域共同環繞該第一子像素區域及該第二子像素區域。
4.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于,該第一子像素結構包括一第一發光層,該第二子像素結構包括一第二發光層,該第三子像素結構包括一第三發光層。
5.如權利要求4所述的像素結構,其特征在于,該第三發光層更覆蓋該第一發光層及該第二發光層。
6.如權利要求4所述的像素結構,其特征在于,該第一發光層僅位于該第一子像素區域中,該第二發光層僅位于該第二子像素區域中,該第三發光層僅位于該第三子像素區域中。
7.如權利要求4所述的像素結構,其特征在于,該第一發光層為紅色發光層,該第二發光層為綠色發光層,且該第三發光層為藍色發光層。
8.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述像素結構的形狀為正方形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





